Справочник MOSFET. SVS11N70SD2

 

SVS11N70SD2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVS11N70SD2
   Маркировка: 11N70SD2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 24 nC
   trⓘ - Время нарастания: 37 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.42 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SVS11N70SD2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:430K  silan
 svs11n70fjhd2 svs11n70dd2tr svs11n70mjd2 svs11n70sd2 svs11n70fd2.pdf pdf_icon

SVS11N70SD2

SVS11N70FJH/D/MJ/S/FD2 11A, 700V MOS 2 SVS11N70FJH/D/MJ/S/FD2 N MOSFET 1 MOS 13 3TO-252-2LSVS11N70FJH/D/MJ/S/FD2

 8.1. Size:493K  silan
 svs11n60dd2tr svs11n60fd2 svs11n60sd2 svs11n60sd2tr svs11n60fjd2 svs11n60td2 svs11n60kd2.pdf pdf_icon

SVS11N70SD2

SVS11N60D/F/S/FJ/T/KD2 11A, 600V MOS 21SVS11N60D/F/S/FJ/T/KD2 N MOSFET 3TO-263-2L MOS 1 13 3SVS11N60D/F/S/FJ/T/KD2

 8.2. Size:447K  silan
 svs11n65dd2tr svs11n65fd2 svs11n65sd2 svs11n65sd2tr svs11n65fjd2.pdf pdf_icon

SVS11N70SD2

SVS11N65D(F)(S)(FJ)D2 11A650VMOS 2SVS11N65D(F)(S)(FJ)D2 N MOSFET MOS 11 3SVS11N65D(F)(S)(FJ)D2

 8.3. Size:382K  silan
 svs11n65t svs11n65f svs11n65k svs11n65s svs11n65str.pdf pdf_icon

SVS11N70SD2

SVS11N65T/F/K/S 11A, 650V DP MOS 2 SVS11N65T/F/K/S N MOSFET 123 DP MOS 1TO-262-3L 3SVS11N65T/F/K/S /

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: BUK7Y19-100E

 

 
Back to Top

 


 
.