SVS11N70SD2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVS11N70SD2  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.42 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SVS11N70SD2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVS11N70SD2 даташит

 ..1. Size:430K  silan
 svs11n70fjhd2 svs11n70dd2tr svs11n70mjd2 svs11n70sd2 svs11n70fd2.pdf pdf_icon

SVS11N70SD2

SVS11N70FJH/D/MJ/S/FD2 11A, 700V MOS 2 SVS11N70FJH/D/MJ/S/FD2 N MOSFET 1 MOS 1 3 3 TO-252-2L SVS11N70FJH/D/MJ/S/FD2

 8.1. Size:493K  silan
 svs11n60dd2tr svs11n60fd2 svs11n60sd2 svs11n60sd2tr svs11n60fjd2 svs11n60td2 svs11n60kd2.pdf pdf_icon

SVS11N70SD2

 8.2. Size:447K  silan
 svs11n65dd2tr svs11n65fd2 svs11n65sd2 svs11n65sd2tr svs11n65fjd2.pdf pdf_icon

SVS11N70SD2

SVS11N65D(F)(S)(FJ)D2 11A 650V MOS 2 SVS11N65D(F)(S)(FJ)D2 N MOSFET MOS 1 1 3 SVS11N65D(F)(S)(FJ)D2

 8.3. Size:382K  silan
 svs11n65t svs11n65f svs11n65k svs11n65s svs11n65str.pdf pdf_icon

SVS11N70SD2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SVS11N65SD2, SVS11N65SD2TR, SVS11N65STR, SVS11N65T, SVS11N70DD2TR, SVS11N70FD2, SVS11N70FJHD2, SVS11N70MJD2, IRF520, SVS14N60FD2, SVS14N60FJD2, SVS14N60TD2, SVS14N65FD2, SVS14N65FJD2, SVS14N65SD2, SVS14N65SD2TR, SVS14N65TD2