SVS14N60FJD2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVS14N60FJD2  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 48 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SVS14N60FJD2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVS14N60FJD2 даташит

 ..1. Size:358K  silan
 svs14n60td2 svs14n60fjd2 svs14n60fd2.pdf pdf_icon

SVS14N60FJD2

 7.1. Size:376K  silan
 svs14n65fjd2 svs14n65fd2 svs14n65td2 svs14n65sd2 svs14n65sd2tr.pdf pdf_icon

SVS14N60FJD2

SVS14N65FJ(F)(T)(S)D2 14A, 650V MOS 2 1 SVS14N65FJ/F/T/SD2 N MOSFET 3 1 TO-263-2L MOS 3 1. 2. 3. SVS14N65FJ/

Другие IGBT... SVS11N65STR, SVS11N65T, SVS11N70DD2TR, SVS11N70FD2, SVS11N70FJHD2, SVS11N70MJD2, SVS11N70SD2, SVS14N60FD2, STF13NM60N, SVS14N60TD2, SVS14N65FD2, SVS14N65FJD2, SVS14N65SD2, SVS14N65SD2TR, SVS14N65TD2, SVS20N60FD2, SVS5N65DD2TR