Справочник MOSFET. SVS14N60FJD2

 

SVS14N60FJD2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVS14N60FJD2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 48 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SVS14N60FJD2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVS14N60FJD2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:358K  silan
 svs14n60td2 svs14n60fjd2 svs14n60fd2.pdf pdf_icon

SVS14N60FJD2

SVS14N60F(FJ)(T)D2 14A, 600V MOS 2 SVS14N60F(FJ)(T)D2 N MOSFET 1 MOS 3SVS14N60F(FJ)(T)D2 /

 7.1. Size:376K  silan
 svs14n65fjd2 svs14n65fd2 svs14n65td2 svs14n65sd2 svs14n65sd2tr.pdf pdf_icon

SVS14N60FJD2

SVS14N65FJ(F)(T)(S)D2 14A, 650V MOS 21SVS14N65FJ/F/T/SD2 N MOSFET 31TO-263-2L MOS 31. 2. 3.SVS14N65FJ/

Другие MOSFET... SVS11N65STR , SVS11N65T , SVS11N70DD2TR , SVS11N70FD2 , SVS11N70FJHD2 , SVS11N70MJD2 , SVS11N70SD2 , SVS14N60FD2 , IRF2807 , SVS14N60TD2 , SVS14N65FD2 , SVS14N65FJD2 , SVS14N65SD2 , SVS14N65SD2TR , SVS14N65TD2 , SVS20N60FD2 , SVS5N65DD2TR .

History: HMS28N65D | STP120NF10 | UT30P03 | NTMFS4933NT1G | IPA60R160C6 | SFB049N80C3

 

 
Back to Top

 


 
.