SVS5N70DTR datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVS5N70DTR  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 58 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 21 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SVS5N70DTR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVS5N70DTR даташит

 ..1. Size:465K  silan
 svs5n70dtr svs5n70mj svs5n70mn svs5n70f svs5n70mu.pdf pdf_icon

SVS5N70DTR

SVS5N70D(MJ)(MN)(F)(MU) 5A 700V MOS 2 SVS5N70D(MJ)(MN)(F)(MU) N MOSFET MOS 1 1 2 3 3 SVS5N70D(MJ)(MN)(F)(MU)

 6.1. Size:414K  silan
 svs5n70fd2 svs5n70dd2tr svs5n70mjd2 svs5n70kd2.pdf pdf_icon

SVS5N70DTR

 7.1. Size:481K  silan
 svs5n70.pdf pdf_icon

SVS5N70DTR

SVS5N70D/MJ/MN/F/MU_Datasheet 5A, 700V DP MOS POWER TRANSISTOR DESCRIPTION SVS5N70D/MJ/MN/F/MU is an N-channel enhancement mode high voltage power MOSFETs produced using Silan s DP MOS technology. It achieves low conduction loss and switching losses. It leads the design engineers to their power converters with high efficiency, high power density, and superior thermal behavior.

 9.1. Size:453K  silan
 svs5n65fd2 svs5n65dd2tr svs5n65fjhd2.pdf pdf_icon

SVS5N70DTR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SVS14N65SD2, SVS14N65SD2TR, SVS14N65TD2, SVS20N60FD2, SVS5N65DD2TR, SVS5N65FD2, SVS5N65FJHD2, SVS5N70DD2TR, IRFZ46N, SVS5N70FD2, SVS5N70KD2, SVS5N70MJD2, SVS60R190DD4TR, SVS60R190FD4, SVS60R190FJDD4, SVS60R190KD4, SVS60R190L8AD4TR