Справочник MOSFET. SVS60R190FJDD4

 

SVS60R190FJDD4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SVS60R190FJDD4
   Маркировка: 60R190FDD4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 31 nC
   trⓘ - Время нарастания: 51 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 53 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для SVS60R190FJDD4

 

 

SVS60R190FJDD4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:727K  silan
 svs60r190fjdd4 svs60r190fd4 svs60r190dd4tr svs60r190l8ad4tr svs60r190td4 svs60r190sd4 svs60r190sd4tr svs60r190kd4.pdf

SVS60R190FJDD4 SVS60R190FJDD4

SVS60R190FJD(F)(D)(L8A)(T)(S)(K)(P7)(PN)D4 20A, 600V MOS 2 SVS60R190FJD(F)(D)(L8A)(T)(S)(K)(P7)(PN)D4 N 1231TO-220FJD-3L MOSFET MOS 3 1

 8.1. Size:537K  silan
 svs60r360fjhe3 svs60r360fjde3 svs60r360de3tr svs60r360l8ae3tr.pdf

SVS60R190FJDD4 SVS60R190FJDD4

SVS60R360FJH(FJD)(D)(L8A)E3 11A600V MOS 2SVS60R360FJH(FJD)(D)(L8A)E3 N MOSFET MOS 1 SVS60R360FJH(FJD)(D)(L8A)E3

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top