SVS60R190KD4 - аналоги и даташиты транзистора

 

SVS60R190KD4 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SVS60R190KD4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 53 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для SVS60R190KD4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVS60R190KD4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:727K  silan
 svs60r190fjdd4 svs60r190fd4 svs60r190dd4tr svs60r190l8ad4tr svs60r190td4 svs60r190sd4 svs60r190sd4tr svs60r190kd4.pdf pdf_icon

SVS60R190KD4

SVS60R190FJD(F)(D)(L8A)(T)(S)(K)(P7)(PN)D4 20A, 600V MOS 2 SVS60R190FJD(F)(D)(L8A)(T)(S)(K)(P7)(PN)D4 N 1231TO-220FJD-3L MOSFET MOS 3 1

 8.1. Size:537K  silan
 svs60r360fjhe3 svs60r360fjde3 svs60r360de3tr svs60r360l8ae3tr.pdf pdf_icon

SVS60R190KD4

SVS60R360FJH(FJD)(D)(L8A)E3 11A600V MOS 2SVS60R360FJH(FJD)(D)(L8A)E3 N MOSFET MOS 1 SVS60R360FJH(FJD)(D)(L8A)E3

Другие MOSFET... SVS5N70DD2TR , SVS5N70DTR , SVS5N70FD2 , SVS5N70KD2 , SVS5N70MJD2 , SVS60R190DD4TR , SVS60R190FD4 , SVS60R190FJDD4 , 2SK3918 , SVS60R190L8AD4TR , SVS60R190SD4 , SVS60R190SD4TR , SVS60R190TD4 , SVS60R360DE3TR , SVS60R360FJDE3 , SVS60R360FJHE3 , SVS60R360L8AE3TR .

History: ME2309 | 2SK2095N | IPI80N03S4L-04 | ME2308S | HGB042N10A | 2SJ527 | SQJ860EP

 

 
Back to Top

 


 
.