SVS60R360DE3TR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SVS60R360DE3TR
Маркировка: 60R36DE3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 104 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 27 nC
Время нарастания (tr): 30 ns
Выходная емкость (Cd): 38 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.36 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для SVS60R360DE3TR
SVS60R360DE3TR Datasheet (PDF)
..1. Size:537K silan
svs60r360fjhe3 svs60r360fjde3 svs60r360de3tr svs60r360l8ae3tr.pdf
svs60r360fjhe3 svs60r360fjde3 svs60r360de3tr svs60r360l8ae3tr.pdf
SVS60R360FJH(FJD)(D)(L8A)E3 11A600V MOS 2SVS60R360FJH(FJD)(D)(L8A)E3 N MOSFET MOS 1 SVS60R360FJH(FJD)(D)(L8A)E3
8.1. Size:727K silan
svs60r190fjdd4 svs60r190fd4 svs60r190dd4tr svs60r190l8ad4tr svs60r190td4 svs60r190sd4 svs60r190sd4tr svs60r190kd4.pdf
svs60r190fjdd4 svs60r190fd4 svs60r190dd4tr svs60r190l8ad4tr svs60r190td4 svs60r190sd4 svs60r190sd4tr svs60r190kd4.pdf
SVS60R190FJD(F)(D)(L8A)(T)(S)(K)(P7)(PN)D4 20A, 600V MOS 2 SVS60R190FJD(F)(D)(L8A)(T)(S)(K)(P7)(PN)D4 N 1231TO-220FJD-3L MOSFET MOS 3 1
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
