SVS60R360FJDE3 - аналоги и даташиты транзистора

 

SVS60R360FJDE3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SVS60R360FJDE3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SVS60R360FJDE3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVS60R360FJDE3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:537K  silan
 svs60r360fjhe3 svs60r360fjde3 svs60r360de3tr svs60r360l8ae3tr.pdf pdf_icon

SVS60R360FJDE3

SVS60R360FJH(FJD)(D)(L8A)E3 11A600V MOS 2SVS60R360FJH(FJD)(D)(L8A)E3 N MOSFET MOS 1 SVS60R360FJH(FJD)(D)(L8A)E3

 8.1. Size:727K  silan
 svs60r190fjdd4 svs60r190fd4 svs60r190dd4tr svs60r190l8ad4tr svs60r190td4 svs60r190sd4 svs60r190sd4tr svs60r190kd4.pdf pdf_icon

SVS60R360FJDE3

SVS60R190FJD(F)(D)(L8A)(T)(S)(K)(P7)(PN)D4 20A, 600V MOS 2 SVS60R190FJD(F)(D)(L8A)(T)(S)(K)(P7)(PN)D4 N 1231TO-220FJD-3L MOSFET MOS 3 1

Другие MOSFET... SVS60R190FD4 , SVS60R190FJDD4 , SVS60R190KD4 , SVS60R190L8AD4TR , SVS60R190SD4 , SVS60R190SD4TR , SVS60R190TD4 , SVS60R360DE3TR , IRFP064N , SVS60R360FJHE3 , SVS60R360L8AE3TR , SVS65R240DD4TR , SVS65R240FD4 , SVS65R240FJDD4 , SVS65R240L8AD4TR , SVS65R240TD4 , SVS65R280DD4TR .

History: NCEP01P40AGU | APT5010JVRU3 | JCS540FT | SSF11NS65U | NCEP02503S | PMN50XP | PMN70XPE

 

 
Back to Top

 


 
.