SVS65R280TD4 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVS65R280TD4  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 133 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 44 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 41 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SVS65R280TD4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVS65R280TD4 даташит

 ..1. Size:627K  silan
 svs65r280fjdd4 svs65r280dd4tr svs65r280fd4 svs65r280td4 svs65r280sd4 svs65r280sd4tr.pdf pdf_icon

SVS65R280TD4

SVS65R280FJD(F)(D)(T)(S)D4 14A, 650V MOS 2 SVS65R280FJD(F)(D)(T)(S)D4 N MOSFET MOS 1 12 3 SVS65R280FJD(F)(D)(T)(S)D4

 7.1. Size:627K  silan
 svs65r240fjdd4 svs65r240dd4tr svs65r240l8ad4tr svs65r240td4 svs65r240fd4.pdf pdf_icon

SVS65R280TD4

SVS65R240FJD(F)(D)(L8A)(T)D4 20A, 650V MOS 2 SVS65R240FJD(F)(D)(L8A)(T)D4 N 1 MOSFET MOS 12 3 TO-220FJD-3L 3 SVS65R240FJD(F)

 8.1. Size:651K  silan
 svs65r380fjd4 svs65r380fjdd4 svs65r380fd4 svs65r380dd4tr.pdf pdf_icon

SVS65R280TD4

SVS65R380FJ(FJD)(F)(D)D4 11A, 650V MOS 2 SVS65R380FJ(FJD)(F)(D)D4 N MOSFET MOS 1 SVS65R380FJ(FJD)(F)(D)D4

 8.2. Size:538K  silan
 svs65r400de3tr svs65r400fjhe3 svs65r400fjde3 svs65r400l8ae3tr.pdf pdf_icon

SVS65R280TD4

SVS65R400D(FJH)(FJD)(L8A)E3 11A, 650V MOS 2 SVS65R400D(FJH)(FJD)(L8A)E3 N MOSFET MOS 1 SVS65R400D(FJH)(FJD)(L8A)E3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SVS65R240FJDD4, SVS65R240L8AD4TR, SVS65R240TD4, SVS65R280DD4TR, SVS65R280FD4, SVS65R280FJDD4, SVS65R280SD4, SVS65R280SD4TR, IRF640, SVS65R380DD4TR, SVS65R380FD4, SVS65R380FJD4, SVS65R380FJDD4, SVS65R400DE3TR, SVS65R400FJDE3, SVS65R400FJHE3, SVS65R400L8AE3TR