Справочник MOSFET. SVS65R280TD4

 

SVS65R280TD4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SVS65R280TD4
   Маркировка: 65R280TD4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 133 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 26 nC
   trⓘ - Время нарастания: 44 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 41 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для SVS65R280TD4

 

 

SVS65R280TD4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:627K  silan
svs65r280fjdd4 svs65r280dd4tr svs65r280fd4 svs65r280td4 svs65r280sd4 svs65r280sd4tr.pdf

SVS65R280TD4 SVS65R280TD4

SVS65R280FJD(F)(D)(T)(S)D4 14A, 650V MOS 2SVS65R280FJD(F)(D)(T)(S)D4 N MOSFET MOS 1 123SVS65R280FJD(F)(D)(T)(S)D4

 7.1. Size:627K  silan
svs65r240fjdd4 svs65r240dd4tr svs65r240l8ad4tr svs65r240td4 svs65r240fd4.pdf

SVS65R280TD4 SVS65R280TD4

SVS65R240FJD(F)(D)(L8A)(T)D4 20A, 650V MOS 2 SVS65R240FJD(F)(D)(L8A)(T)D4 N 1MOSFET MOS 123TO-220FJD-3L 3SVS65R240FJD(F)

 8.1. Size:651K  silan
svs65r380fjd4 svs65r380fjdd4 svs65r380fd4 svs65r380dd4tr.pdf

SVS65R280TD4 SVS65R280TD4

SVS65R380FJ(FJD)(F)(D)D4 11A, 650V MOS 2SVS65R380FJ(FJD)(F)(D)D4 N MOSFET MOS 1 SVS65R380FJ(FJD)(F)(D)D4

 8.2. Size:538K  silan
svs65r400de3tr svs65r400fjhe3 svs65r400fjde3 svs65r400l8ae3tr.pdf

SVS65R280TD4 SVS65R280TD4

SVS65R400D(FJH)(FJD)(L8A)E3 11A, 650V MOS 2SVS65R400D(FJH)(FJD)(L8A)E3 N MOSFET MOS 1 SVS65R400D(FJH)(FJD)(L8A)E3

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top