SVS70R360FJDE3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVS70R360FJDE3  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SVS70R360FJDE3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVS70R360FJDE3 даташит

 ..1. Size:540K  silan
svs70r360se3 svs70r360se3tr svs70r360fe3 svs70r360fjde3 svs70r360de3tr.pdfpdf_icon

SVS70R360FJDE3

SVS70R360S(F)(FJD)(D)E3 13A, 700V MOS 2 SVS70R360S(F)(FJD)(D)E3 N MOSFET MOS 1 SVS70R360S(F)(FJD)(D)E3

 8.1. Size:516K  silan
svs70r900se3 svs70r900se3tr svs70r900de3tr svs70r900mje3.pdfpdf_icon

SVS70R360FJDE3

SVS70R900S(D)(MJ)E3 5A, 700V MOS 2 SVS70R900S(D)(MJ)E3 N MOSFET MOS 1 SVS70R900S(D)(MJ)E3 /

 8.3. Size:551K  silan
svs70r600de3tr svs70r600se3 svs70r600se3tr svs70r600mje3 svs70r600fe3 svs70r600fjde3 svs70r600fjhe3.pdfpdf_icon

SVS70R360FJDE3

SVS70R600D(S)(MJ)(F)(FJD)(FJH)E3 7A 700V MOS 2 SVS70R600D(S)(MJ)(F)(FJD)(FJH)E3 N 1 2 3 MOSFET MOS 1 TO-220F-3L SVS70R600D(S)(MJ)(F

Другие IGBT... SVS65R380FJD4, SVS65R380FJDD4, SVS65R400DE3TR, SVS65R400FJDE3, SVS65R400FJHE3, SVS65R400L8AE3TR, SVS70R360DE3TR, SVS70R360FE3, IRFB4115, SVS70R360SE3, SVS70R360SE3TR, SVS70R420DE3TR, SVS70R420FE3, SVS70R420FJHE3, SVS70R420MJE3, SVS70R420SE3, SVS70R420SE3TR