SVS7N65DD2TR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SVS7N65DD2TR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 27 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.64 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для SVS7N65DD2TR
SVS7N65DD2TR Datasheet (PDF)
svs7n65dd2tr svs7n65fd2 svs7n65mjd2 svs7n65fjd2 svs7n65sd2 svs7n65sd2tr.pdf

SVS7N65D(F)(MJ)(FJ)(S)D2 7A, 650V MOS 2 SVS7N65D(F)(MJ)(FJ)(S)D2 N MOSFET 1213 MOS TO-220F-3L 3SVS7N65D(F)(MJ)(
svs7n65f svs7n65d svs7n65dtr svs7n65mj.pdf

SVS7N65F/D/MJ 7A, 650V MOS 2SVS7N65F/D/MJ N MOSFET MOS 1 3 1SVS7N65F / 3
svs7n60fjd2 svs7n60dd2tr svs7n60fd2.pdf

SVS7N60F(FJ)(D)D2 7A, 600V DP MOS SVS7N60F(FJ)(D)D2 N MOSFET DP MOS SVS7N60F(FJ)(D)D2 / 7A,600
svs7n70d.pdf

SVS7N70D 7A, 700V DP MOS SVS7N70D N MOSFET DP MOS SVS7N70D / 7A,700V, RDS(on)( )=0.52@VGS=10V
Другие MOSFET... SVS70R900DE3TR , SVS70R900MJE3 , SVS70R900SE3 , SVS70R900SE3TR , SVS7N60DD2TR , SVS7N60FD2 , SVS7N60FJD2 , SVS7N65D , 4N60 , SVS7N65DTR , SVS7N65F , SVS7N65FD2 , SVS7N65FJD2 , SVS7N65MJ , SVS7N65MJD2 , SVS7N65SD2 , SVS7N65SD2TR .
History: CJ3139KDW | CEB6060N | IXTQ96N15P | FDS5170N7
History: CJ3139KDW | CEB6060N | IXTQ96N15P | FDS5170N7



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
irfb3306 equivalent | irfp460 характеристики | k2837 datasheet | k389 transistor | mje15032g equivalent | nsd134 | 60r190p datasheet | cs30n20 datasheet