SVS7N70D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVS7N70D  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 73 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 28.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SVS7N70D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVS7N70D даташит

 ..1. Size:403K  silan
 svs7n70d.pdf pdf_icon

SVS7N70D

SVS7N70D 7A, 700V DP MOS SVS7N70D N MOSFET DP MOS SVS7N70D / 7A,700V, RDS(on)( )=0.52 @VGS=10V

 0.1. Size:447K  silan
 svs7n70fd2 svs7n70dd2tr svs7n70mjd2 svs7n70sd2.pdf pdf_icon

SVS7N70D

SVS7N70F(D)(MJ)(S)D2 7A, 700V MOS 2 SVS7N70F(D)(MJ)(S)D2 N MOSFET 1 MOS 3 1. 2. 3. SVS7N70F(D)(MJ)(S

 9.1. Size:393K  silan
 svs7n65dd2tr svs7n65fd2 svs7n65mjd2 svs7n65fjd2 svs7n65sd2 svs7n65sd2tr.pdf pdf_icon

SVS7N70D

SVS7N65D(F)(MJ)(FJ)(S)D2 7A, 650V MOS 2 SVS7N65D(F)(MJ)(FJ)(S)D2 N MOSFET 1 2 1 3 MOS TO-220F-3L 3 SVS7N65D(F)(MJ)(

 9.2. Size:638K  silan
 svs7n60fjd2 svs7n60dd2tr svs7n60fd2.pdf pdf_icon

SVS7N70D

SVS7N60F(FJ)(D)D2 7A, 600V DP MOS SVS7N60F(FJ)(D)D2 N MOSFET DP MOS SVS7N60F(FJ)(D)D2 / 7A,600

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SVS7N65DTR, SVS7N65F, SVS7N65FD2, SVS7N65FJD2, SVS7N65MJ, SVS7N65MJD2, SVS7N65SD2, SVS7N65SD2TR, STP80NF70, SVS7N70DD2TR, SVS7N70FD2, SVS7N70MJD2, SVS7N70SD2, SVS80R280FE3, SVS80R280FJDE3, SVS80R280P7E3, SVS80R280SE3