Справочник MOSFET. STM4410A

 

STM4410A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STM4410A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для STM4410A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STM4410A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:696K  samhop
stm4410a.pdfpdf_icon

STM4410A

S T M4410AS amHop Microelectronics C orp. J an 04 2005 ver1.1 N-C hannel E nhancement Mode Field E ffect TransistorP R ODUC T S UMMAR Y F E AT UR E SS uper high dense cell design for low R DS (ON).V DS S ID R DS (ON) ( m W ) Max R ugged and reliable.9.5 @ V G S = 10V30V 10AS urface Mount Package.21 @ V G S = 4.5VS O-81ABS OLUTE MAXIMUM R ATINGS (TA=25 C unless other

 9.1. Size:113K  samhop
stm4432.pdfpdf_icon

STM4410A

GrerrPPrPPSTM4432aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m ) MaxVDSS IDRugged and reliable.11 @ VGS=10VSuface Mount Package.40V 12A15 @ VGS=4.5VSO-81(TA=25C unless otherwise noted)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Paramet

 9.2. Size:166K  samhop
stm4460.pdfpdf_icon

STM4410A

STM4460aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.32 @ VGS=10VSuface Mount Package.40V 7A45 @ VGS=4.5VD 5 4 GD 6 3S7 2D SS O-88 1D S1(TA=25C unless otherwise noted)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

 9.3. Size:120K  samhop
stm4446.pdfpdf_icon

STM4410A

GreenProductSTM4446aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.16.5 @ VGS=10VSuface Mount Package.40V 9A26 @ VGS=4.5V D 5 4 G6 3D S7 2 SDSO-8D 8 1S1ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=2

Другие MOSFET... FDP2614 , STM4433A , FDP26N40 , STM4432 , FDP2710 , FDP2710F085 , FDP33N25 , FDP3651U , AO3400 , FDP3672 , FDP3682 , STM301N , FDP42AN15A0 , FDP51N25 , FDP52N20 , STM201N , FDP5500F085 .

History: BF353 | IPP65R310CFD

 

 
Back to Top

 


 
.