SVS80R280SE3TR datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVS80R280SE3TR  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 179 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 79 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 49 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SVS80R280SE3TR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVS80R280SE3TR даташит

 ..1. Size:505K  silan
 svs80r280fe3 svs80r280fjde3 svs80r280se3 svs80r280se3tr svs80r280p7e3.pdf pdf_icon

SVS80R280SE3TR

 8.1. Size:558K  silan
 svs80r800fjhe3 svs80r800de3tr svs80r800fe3.pdf pdf_icon

SVS80R280SE3TR

 8.2. Size:522K  silan
 svs80r900fe3 svs80r900de3tr svs80r900fjde3.pdf pdf_icon

SVS80R280SE3TR

 8.3. Size:673K  silan
 svs80r430fe3 svs80r430fjhe3 svs80r430de3tr svs80r430fjde3 svs80r430l8ae3tr.pdf pdf_icon

SVS80R280SE3TR

SVS80R430F(FJH)(D)(FJD)(L8A)E3 12A 800V MOS 2 SVS80R430F(FJH)(D)(FJD)(L8A)E3 N 1 MOSFET MOS 1 2 3 TO-220FJH-3L SVS80R430F(F

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SVS7N70DD2TR, SVS7N70FD2, SVS7N70MJD2, SVS7N70SD2, SVS80R280FE3, SVS80R280FJDE3, SVS80R280P7E3, SVS80R280SE3, 10N65, SVS80R430DE3TR, SVS80R430FE3, SVS80R430FJDE3, SVS80R430FJHE3, SVS80R430L8AE3TR, SVS80R800DE3TR, SVS80R800FE3, SVS80R800FJHE3