SVS80R430FE3 datasheet, аналоги, параметры транзистора

SVS80R430FE3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVS80R430FE3 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 59 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.43 Ohm

Тип корпуса: TO220F

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для SVS80R430FE3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

SVS80R430F(FJH)(D)(FJD)(L8A)E3 12A 800V MOS 2 SVS80R430F(FJH)(D)(FJD)(L8A)E3 N 1 MOSFET MOS 1 2 3 TO-220FJH-3L SVS80R430F(F