SVS80R430FJHE3 - аналоги и даташиты транзистора

 

SVS80R430FJHE3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SVS80R430FJHE3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 59 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.43 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SVS80R430FJHE3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVS80R430FJHE3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:673K  silan
 svs80r430fe3 svs80r430fjhe3 svs80r430de3tr svs80r430fjde3 svs80r430l8ae3tr.pdf pdf_icon

SVS80R430FJHE3

SVS80R430F(FJH)(D)(FJD)(L8A)E3 12A800V MOS 2SVS80R430F(FJH)(D)(FJD)(L8A)E3 N 1MOSFET MOS 1 23TO-220FJH-3L SVS80R430F(F

 8.1. Size:558K  silan
 svs80r800fjhe3 svs80r800de3tr svs80r800fe3.pdf pdf_icon

SVS80R430FJHE3

SVS80R800FJH(D)(F)E3 7A, 800V MOS 2SVS80R800FJH(D)(F)E3 N MOSFET MOS 1 SVS80R800FJH(D)(F)E3 /

 8.2. Size:522K  silan
 svs80r900fe3 svs80r900de3tr svs80r900fjde3.pdf pdf_icon

SVS80R430FJHE3

SVS80R900F(D)(FJD)E3 6A800V MOS 2SVS80R900F(D)(FJD)E3 N MOSFET MOS 1 SVS80R900F(D)(FJD)E3 /

 8.3. Size:505K  silan
 svs80r280fe3 svs80r280fjde3 svs80r280se3 svs80r280se3tr svs80r280p7e3.pdf pdf_icon

SVS80R430FJHE3

SVS80R280F(FJD)(S)(P7)E3 17A800V MOS 2SVS80R280F(FJD)(S)(P7)E3 N MOSFET1 MOS 3TO-247-3LSVS80R280F(FJD)(S)(P7)E3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVS80R280FE3 , SVS80R280FJDE3 , SVS80R280P7E3 , SVS80R280SE3 , SVS80R280SE3TR , SVS80R430DE3TR , SVS80R430FE3 , SVS80R430FJDE3 , AO3407 , SVS80R430L8AE3TR , SVS80R800DE3TR , SVS80R800FE3 , SVS80R800FJHE3 , SVS80R900DE3TR , SVS80R900FE3 , SVS80R900FJDE3 , SVSP11N60DD2TR .

History: JCS7N65SB | QM04N65D | AP18P10GH | RU30D10H | AP18P10AGH-HF | RU30E7H

 

 
Back to Top

 


 
.