SVSP11N60SD2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVSP11N60SD2  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 94 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SVSP11N60SD2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVSP11N60SD2 даташит

 ..1. Size:477K  silan
 svsp11n60dd2tr svsp11n60fd2 svsp11n60sd2 svsp11n60sd2tr svsp11n60fjdd2 svsp11n60td2 svsp11n60kd2.pdf pdf_icon

SVSP11N60SD2

SVSP11N60D(F)(S)(FJD)(T)(K)D2 11A, 600V MOS 2 SVSP11N60D(F)(S)(FJD)(T)(K)D2 N 1 3 1 MOSFET MOS TO-263-2L 3 1 3 1. 2. 3.

 5.1. Size:394K  silan
 svsp11n60fjd2 svsp11n60dd2tr.pdf pdf_icon

SVSP11N60SD2

SVSP11N60FJ(D)D2 11A, 600V DP MOS 2 SVSP11N60FJ(D)D2 N MOSFET DP MOS 1 3 SVSP11N60FJ(D)D2 /

 6.1. Size:480K  silan
 svsp11n65dd2tra svsp11n65fd2 svsp11n65sd2 svsp11n65sd2tr svsp11n65fjdd2 svsp11n65kd2 svsp11n65td2.pdf pdf_icon

SVSP11N60SD2

SVSP11N65D/F/S/FJD/K/TD2 11A, 650V MOS 2 1 SVSP11N65D/F/S/FJD/K/TD2 N MOSFET 3 1 TO-263-2L MOS 3 1. 2. 3. S

 6.2. Size:320K  silan
 svsp11n65afjhd2.pdf pdf_icon

SVSP11N60SD2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SVS80R900DE3TR, SVS80R900FE3, SVS80R900FJDE3, SVSP11N60DD2TR, SVSP11N60FD2, SVSP11N60FJD2, SVSP11N60FJDD2, SVSP11N60KD2, STP65NF06, SVSP11N60SD2TR, SVSP11N60TD2, SVSP11N65AFJHD2, SVSP11N65DD2TRA, SVSP11N65FD2, SVSP11N65FJDD2, SVSP11N65FJHD2, SVSP11N65KD2