Справочник MOSFET. SVSP11N60SD2TR

 

SVSP11N60SD2TR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVSP11N60SD2TR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 94 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 29 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SVSP11N60SD2TR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:477K  silan
 svsp11n60dd2tr svsp11n60fd2 svsp11n60sd2 svsp11n60sd2tr svsp11n60fjdd2 svsp11n60td2 svsp11n60kd2.pdf pdf_icon

SVSP11N60SD2TR

SVSP11N60D(F)(S)(FJD)(T)(K)D2 11A, 600V MOS 2SVSP11N60D(F)(S)(FJD)(T)(K)D2 N 131MOSFET MOS TO-263-2L31 31. 2. 3.

 5.1. Size:394K  silan
 svsp11n60fjd2 svsp11n60dd2tr.pdf pdf_icon

SVSP11N60SD2TR

SVSP11N60FJ(D)D2 11A, 600V DP MOS 2SVSP11N60FJ(D)D2 N MOSFET DP MOS 1 3 SVSP11N60FJ(D)D2 /

 6.1. Size:480K  silan
 svsp11n65dd2tra svsp11n65fd2 svsp11n65sd2 svsp11n65sd2tr svsp11n65fjdd2 svsp11n65kd2 svsp11n65td2.pdf pdf_icon

SVSP11N60SD2TR

SVSP11N65D/F/S/FJD/K/TD2 11A, 650V MOS 2 1SVSP11N65D/F/S/FJD/K/TD2 N MOSFET31TO-263-2L MOS 3 1. 2. 3.S

 6.2. Size:320K  silan
 svsp11n65afjhd2.pdf pdf_icon

SVSP11N60SD2TR

SVSP11N65AFJHD2 11A650V MOS 2 SVSP11N65AFJHD2 N MOSFET 1 MOS 3 SVSP11N65AFJHD2 /

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: BR2N7002AK2 | AUIRLR3410TRL | BSZ018N04LS6 | MTP2955L3 | S10H08RP | HCS90R1K6S | PMK30EP

 

 
Back to Top

 


 
.