SVSP11N70FD2 - описание и поиск аналогов

 

SVSP11N70FD2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SVSP11N70FD2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.42 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SVSP11N70FD2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVSP11N70FD2 даташит

 ..1. Size:468K  silan
 svsp11n70fd2 svsp11n70fjhd2 svsp11n70dd2tr svsp11n70mjd2 svsp11n70sd2.pdf pdf_icon

SVSP11N70FD2

 7.1. Size:394K  silan
 svsp11n60fjd2 svsp11n60dd2tr.pdf pdf_icon

SVSP11N70FD2

SVSP11N60FJ(D)D2 11A, 600V DP MOS 2 SVSP11N60FJ(D)D2 N MOSFET DP MOS 1 3 SVSP11N60FJ(D)D2 /

 7.2. Size:480K  silan
 svsp11n65dd2tra svsp11n65fd2 svsp11n65sd2 svsp11n65sd2tr svsp11n65fjdd2 svsp11n65kd2 svsp11n65td2.pdf pdf_icon

SVSP11N70FD2

SVSP11N65D/F/S/FJD/K/TD2 11A, 650V MOS 2 1 SVSP11N65D/F/S/FJD/K/TD2 N MOSFET 3 1 TO-263-2L MOS 3 1. 2. 3. S

 7.3. Size:320K  silan
 svsp11n65afjhd2.pdf pdf_icon

SVSP11N70FD2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SVSP11N65FD2, SVSP11N65FJDD2, SVSP11N65FJHD2, SVSP11N65KD2, SVSP11N65SD2, SVSP11N65SD2TR, SVSP11N65TD2, SVSP11N70DD2TR, MMIS60R580P, SVSP11N70FJHD2, SVSP11N70MJD2, SVSP11N70SD2, SVSP14N60FD2, SVSP14N60FJDD2, SVSP14N60TD2, SVSP14N65AFJHE2, SVSP14N65FJDD2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.