SVSP11N70MJD2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SVSP11N70MJD2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 37 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.42 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для SVSP11N70MJD2
SVSP11N70MJD2 Datasheet (PDF)
svsp11n70fd2 svsp11n70fjhd2 svsp11n70dd2tr svsp11n70mjd2 svsp11n70sd2.pdf
SVSP11N70F/FJH/D/MJ/SD2 11A, 700V MOS 2 SVSP11N70F/FJH/D/MJ/SD2 N MOSFET11 MOS 3TO-252-2L 3SVSP11N70F/FJH/D/MJ/SD2
svsp11n60fjd2 svsp11n60dd2tr.pdf
SVSP11N60FJ(D)D2 11A, 600V DP MOS 2SVSP11N60FJ(D)D2 N MOSFET DP MOS 1 3 SVSP11N60FJ(D)D2 /
svsp11n65dd2tra svsp11n65fd2 svsp11n65sd2 svsp11n65sd2tr svsp11n65fjdd2 svsp11n65kd2 svsp11n65td2.pdf
SVSP11N65D/F/S/FJD/K/TD2 11A, 650V MOS 2 1SVSP11N65D/F/S/FJD/K/TD2 N MOSFET31TO-263-2L MOS 3 1. 2. 3.S
svsp11n65afjhd2.pdf
SVSP11N65AFJHD2 11A650V MOS 2 SVSP11N65AFJHD2 N MOSFET 1 MOS 3 SVSP11N65AFJHD2 /
svsp11n65fjhd2.pdf
SVSP11N65FJHD2 11A, 650V MOS 2 SVSP11N65FJHD2 N MOSFET 1 MOS 3SVSP11N65FJHD2 /1.
svsp11n60dd2tr svsp11n60fd2 svsp11n60sd2 svsp11n60sd2tr svsp11n60fjdd2 svsp11n60td2 svsp11n60kd2.pdf
SVSP11N60D(F)(S)(FJD)(T)(K)D2 11A, 600V MOS 2SVSP11N60D(F)(S)(FJD)(T)(K)D2 N 131MOSFET MOS TO-263-2L31 31. 2. 3.
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918