Справочник MOSFET. SVSP11N70SD2

 

SVSP11N70SD2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVSP11N70SD2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 37 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.42 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SVSP11N70SD2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:468K  silan
svsp11n70fd2 svsp11n70fjhd2 svsp11n70dd2tr svsp11n70mjd2 svsp11n70sd2.pdfpdf_icon

SVSP11N70SD2

SVSP11N70F/FJH/D/MJ/SD2 11A, 700V MOS 2 SVSP11N70F/FJH/D/MJ/SD2 N MOSFET11 MOS 3TO-252-2L 3SVSP11N70F/FJH/D/MJ/SD2

 7.1. Size:394K  silan
svsp11n60fjd2 svsp11n60dd2tr.pdfpdf_icon

SVSP11N70SD2

SVSP11N60FJ(D)D2 11A, 600V DP MOS 2SVSP11N60FJ(D)D2 N MOSFET DP MOS 1 3 SVSP11N60FJ(D)D2 /

 7.2. Size:480K  silan
svsp11n65dd2tra svsp11n65fd2 svsp11n65sd2 svsp11n65sd2tr svsp11n65fjdd2 svsp11n65kd2 svsp11n65td2.pdfpdf_icon

SVSP11N70SD2

SVSP11N65D/F/S/FJD/K/TD2 11A, 650V MOS 2 1SVSP11N65D/F/S/FJD/K/TD2 N MOSFET31TO-263-2L MOS 3 1. 2. 3.S

 7.3. Size:320K  silan
svsp11n65afjhd2.pdfpdf_icon

SVSP11N70SD2

SVSP11N65AFJHD2 11A650V MOS 2 SVSP11N65AFJHD2 N MOSFET 1 MOS 3 SVSP11N65AFJHD2 /

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: AFN3684S | FQD17P06TM | IPD50R280CE | SI1016X | FDD8453LZ-F085 | NDT6N70 | KI2321DS

 

 
Back to Top

 


 
.