SVSP14N65FJDD2 - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

SVSP14N65FJDD2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SVSP14N65FJDD2
   Маркировка: P14N65FJD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35.7 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 14 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 24 nC
   Время нарастания (tr): 37 ns
   Выходная емкость (Cd): 45 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.31 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SVSP14N65FJDD2