SVSP20N60SD2TR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SVSP20N60SD2TR
Маркировка: P20N60SD2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 39 nC
Время нарастания (tr): 60 ns
Выходная емкость (Cd): 67 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.19 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для SVSP20N60SD2TR
SVSP20N60SD2TR Datasheet (PDF)
svsp20n60fjdd2 svsp20n60kd2 svsp20n60td2 svsp20n60pnd2 svsp20n60sd2 svsp20n60sd2tr svsp20n60p7d2.pdf
SVSP20N60FJD(K)(T)(PN)(S)(P7)D2 20A600V MOS 2 123SVSP20N60FJD(K)(T)(PN)(S)(P7)D2 N 1TO-262-3LMOSFET MOS 3131. 2. 3.
svsp20nf60td2.pdf
SVSP20NF60TD2 20A600V MOS 2SVSP20NF60TD2 N MOSFET MOS 1 3SVSP20NF60TD2 / 1.
svsp24n60fjdd2 svsp24n60td2.pdf
SVSP24N60FJD(T)D2 24A600V MOS 2SVSP24N60FJD(T)D2 N MOSFET 1 MOS 3. 1. 2. 3.SVSP24N60FJD(T)D2
svsp24nf60fjdd2.pdf
SVSP24NF60FJDD2 24A, 600V MOS 2SVSP24NF60FJDD2 N MOSFET MOS 1 3SVSP24NF60FJD2 /
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .