Справочник MOSFET. SVSP60R090P7HD4

 

SVSP60R090P7HD4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVSP60R090P7HD4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 305 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 88 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для SVSP60R090P7HD4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVSP60R090P7HD4 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:604K  silan
 svsp60r090p7hd4 svsp60r090lhd4tr svsp60r090fjdhd4.pdf pdf_icon

SVSP60R090P7HD4

SVSP60R090P7(L)(FJD)HD4 38A, 600V MOS 2 TabSVSP60R090P7(L)(FJD)HD4 N MOSFET1 pin1 MOS 3 Pin2-8SVSP60R090P7(L)(FJD)HD4

 6.1. Size:473K  silan
 svsp60r033p7hd4.pdf pdf_icon

SVSP60R090P7HD4

SVSP60R033P7HD4 83A, 600V MOS 2SVSP60R033P7HD4 N MOSFET MOS 1 SVSP60R033P7HD4 /3

 9.1. Size:509K  silan
 svsp65r050p7hd4.pdf pdf_icon

SVSP60R090P7HD4

SVSP65R050P7HD4 60A, 650V MOS 2SVSP65R050P7HD4 N MOSFET MOS 1 SVSP65R050P7HD4 /

 9.2. Size:571K  silan
 svsp65r110p7hd4 svsp65r110thd4 svsp65r110shd4 svsp65r110shd4tr svsp65r110fjdhd4 svsp65r110lhd4tr.pdf pdf_icon

SVSP60R090P7HD4

SVSP65R110P7(T)(S)(FJD)(L)HD4 35A650V MOS Tab2SVSP65R110P7(T)(S)(FJD)(L)HD4 N 1 pin1MOSFET MOS 3 Pin2-8 Pin1. Tab. 1.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVSP20NF60TD2 , SVSP24N60FJDD2 , SVSP24N60TD2 , SVSP24NF60FJDD2 , SVSP35NF65P7D3 , SVSP60R033P7HD4 , SVSP60R090FJDHD4 , SVSP60R090LHD4TR , IRFB4110 , SVSP65R041P7HD4 , SVSP65R050P7HD4 , SVSP65R080P7HD4 , SVSP65R110FJDHD4 , SVSP65R110LHD4TR , SVSP65R110P7HD4 , SVSP65R110SHD4 , SVSP65R110SHD4TR .

History: 2SJ210 | SVSP35NF65P7D3 | FRK9160D | IXTH42N20MB | 2SK642

 

 
Back to Top

 


 
.