SVSP65R080P7HD4 - описание и поиск аналогов

 

SVSP65R080P7HD4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SVSP65R080P7HD4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 338 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 43 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 106 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для SVSP65R080P7HD4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVSP65R080P7HD4 даташит

 0.1. Size:489K  silan
svsp65r080p7hd4.pdfpdf_icon

SVSP65R080P7HD4

SVSP65R080P7HD4 43A, 650V MOS 2 SVSP65R080P7HD4 N MOSFET MOS 1 SVSP65R080P7HD4 /

 6.1. Size:509K  silan
svsp65r050p7hd4.pdfpdf_icon

SVSP65R080P7HD4

SVSP65R050P7HD4 60A, 650V MOS 2 SVSP65R050P7HD4 N MOSFET MOS 1 SVSP65R050P7HD4 /

 6.2. Size:469K  silan
svsp65r041p7hd4.pdfpdf_icon

SVSP65R080P7HD4

Другие MOSFET... SVSP24NF60FJDD2 , SVSP35NF65P7D3 , SVSP60R033P7HD4 , SVSP60R090FJDHD4 , SVSP60R090LHD4TR , SVSP60R090P7HD4 , SVSP65R041P7HD4 , SVSP65R050P7HD4 , P55NF06 , SVSP65R110FJDHD4 , SVSP65R110LHD4TR , SVSP65R110P7HD4 , SVSP65R110SHD4 , SVSP65R110SHD4TR , SVSP65R110THD4 , SVSP7N70DD2TR , SVSP7N70FD2 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.