Справочник MOSFET. SVSP65R080P7HD4

 

SVSP65R080P7HD4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVSP65R080P7HD4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 338 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 43 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 106 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для SVSP65R080P7HD4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVSP65R080P7HD4 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:489K  silan
svsp65r080p7hd4.pdfpdf_icon

SVSP65R080P7HD4

SVSP65R080P7HD4 43A, 650V MOS 2SVSP65R080P7HD4 N MOSFET MOS 1 SVSP65R080P7HD4 /

 6.1. Size:509K  silan
svsp65r050p7hd4.pdfpdf_icon

SVSP65R080P7HD4

SVSP65R050P7HD4 60A, 650V MOS 2SVSP65R050P7HD4 N MOSFET MOS 1 SVSP65R050P7HD4 /

 6.2. Size:469K  silan
svsp65r041p7hd4.pdfpdf_icon

SVSP65R080P7HD4

SVSP65R041P7HD4 70A650V MOS 2SVSP65R041P7HD4 N MOSFET MOS 1 SVSP65R041P7HD4 /

Другие MOSFET... SVSP24NF60FJDD2 , SVSP35NF65P7D3 , SVSP60R033P7HD4 , SVSP60R090FJDHD4 , SVSP60R090LHD4TR , SVSP60R090P7HD4 , SVSP65R041P7HD4 , SVSP65R050P7HD4 , IRFB4115 , SVSP65R110FJDHD4 , SVSP65R110LHD4TR , SVSP65R110P7HD4 , SVSP65R110SHD4 , SVSP65R110SHD4TR , SVSP65R110THD4 , SVSP7N70DD2TR , SVSP7N70FD2 .

History: IRLD120 | NTE4151P | NTD6415ANL | FDA24N40F | NTF2955 | FRE260H | G66

 

 
Back to Top

 


 
.