Справочник MOSFET. SVSP65R110FJDHD4

 

SVSP65R110FJDHD4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVSP65R110FJDHD4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 83 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SVSP65R110FJDHD4 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:571K  silan
 svsp65r110p7hd4 svsp65r110thd4 svsp65r110shd4 svsp65r110shd4tr svsp65r110fjdhd4 svsp65r110lhd4tr.pdf pdf_icon

SVSP65R110FJDHD4

SVSP65R110P7(T)(S)(FJD)(L)HD4 35A650V MOS Tab2SVSP65R110P7(T)(S)(FJD)(L)HD4 N 1 pin1MOSFET MOS 3 Pin2-8 Pin1. Tab. 1.

 7.1. Size:509K  silan
 svsp65r050p7hd4.pdf pdf_icon

SVSP65R110FJDHD4

SVSP65R050P7HD4 60A, 650V MOS 2SVSP65R050P7HD4 N MOSFET MOS 1 SVSP65R050P7HD4 /

 7.2. Size:489K  silan
 svsp65r080p7hd4.pdf pdf_icon

SVSP65R110FJDHD4

SVSP65R080P7HD4 43A, 650V MOS 2SVSP65R080P7HD4 N MOSFET MOS 1 SVSP65R080P7HD4 /

 7.3. Size:469K  silan
 svsp65r041p7hd4.pdf pdf_icon

SVSP65R110FJDHD4

SVSP65R041P7HD4 70A650V MOS 2SVSP65R041P7HD4 N MOSFET MOS 1 SVSP65R041P7HD4 /

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRF241 | NCE70T180D

 

 
Back to Top

 


 
.