Справочник MOSFET. SVSP65R110FJDHD4

 

SVSP65R110FJDHD4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVSP65R110FJDHD4
   Маркировка: P65R110FJD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 80 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 83 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SVSP65R110FJDHD4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVSP65R110FJDHD4 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:571K  silan
 svsp65r110p7hd4 svsp65r110thd4 svsp65r110shd4 svsp65r110shd4tr svsp65r110fjdhd4 svsp65r110lhd4tr.pdf pdf_icon

SVSP65R110FJDHD4

SVSP65R110P7(T)(S)(FJD)(L)HD4 35A650V MOS Tab2SVSP65R110P7(T)(S)(FJD)(L)HD4 N 1 pin1MOSFET MOS 3 Pin2-8 Pin1. Tab. 1.

 7.1. Size:509K  silan
 svsp65r050p7hd4.pdf pdf_icon

SVSP65R110FJDHD4

SVSP65R050P7HD4 60A, 650V MOS 2SVSP65R050P7HD4 N MOSFET MOS 1 SVSP65R050P7HD4 /

 7.2. Size:489K  silan
 svsp65r080p7hd4.pdf pdf_icon

SVSP65R110FJDHD4

SVSP65R080P7HD4 43A, 650V MOS 2SVSP65R080P7HD4 N MOSFET MOS 1 SVSP65R080P7HD4 /

 7.3. Size:469K  silan
 svsp65r041p7hd4.pdf pdf_icon

SVSP65R110FJDHD4

SVSP65R041P7HD4 70A650V MOS 2SVSP65R041P7HD4 N MOSFET MOS 1 SVSP65R041P7HD4 /

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVSP35NF65P7D3 , SVSP60R033P7HD4 , SVSP60R090FJDHD4 , SVSP60R090LHD4TR , SVSP60R090P7HD4 , SVSP65R041P7HD4 , SVSP65R050P7HD4 , SVSP65R080P7HD4 , 2SK3878 , SVSP65R110LHD4TR , SVSP65R110P7HD4 , SVSP65R110SHD4 , SVSP65R110SHD4TR , SVSP65R110THD4 , SVSP7N70DD2TR , SVSP7N70FD2 , SVSP7N70FJDD2 .

 

 
Back to Top

 


 
.