SVT033R5NT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SVT033R5NT
Маркировка: 033R5NT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 171.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 113.5 nC
trⓘ - Время нарастания: 77 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1010.6 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для SVT033R5NT
SVT033R5NT Datasheet (PDF)
svt03380psa.pdf
SVT03380PSA -6.5A-30V P 5 6 7 8 4. SVT03380PSA P MOS 123. 5678. LVMOS 4
svt037r0nl3.pdf
SVT037R0NL3 58A30V N SVT037R0NL3 N MOS S D1 8LVMOS S 7 D2 DS 3 6
svt03200psa.pdf
SVT03200PSA -12A-30V P 5 6 7 8 4. SVT03200PSA P MOS 123. LVMOS 5678. 4
svt03110pl3.pdf
SVT03110PL3 -46A-30V P SVT03110PL3 P MOS S D18 LVMOS S D2 7 DS 3 6
svt03100nl3.pdf
SVT03100NL3 45A30V N SVT03100NL3 N MOS S D1 8LVMOS S 7 D2 DS 3 6
svt035r5nsa.pdf
SVT035R5NSA 21A30V N 5 6 7 8 4. SVT035R5NSA N MOS 123. LVMOS 5678.
svt035r5ndtr svt035r5nmj svt035r5nt.pdf
SVT035R5ND(MJ)(T) 100A30V N 2SVT035R5ND(MJ)(T) N MOS LVMOS 1 1233
svt034r6ndtr svt034r6nt.pdf
SVT034R6ND(T) 120A30V N 2SVT034R6ND(T) N MOS LVMOS 1
svt035r5nl5.pdf
SVT035R5NL5 100A30V N S DSVT035R5NL5 N MOS 1 8SLVMOS 2 7 DD S 3 6
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918