SVT034R0NL5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SVT034R0NL5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 69 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
Тип корпуса: PDFN8-5X6
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SVT034R0NL5 Datasheet (PDF)
svt034r6ndtr svt034r6nt.pdf

SVT034R6ND(T) 120A30V N 2SVT034R6ND(T) N MOS LVMOS 1
svt037r0nl3.pdf

SVT037R0NL3 58A30V N SVT037R0NL3 N MOS S D1 8LVMOS S 7 D2 DS 3 6
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: FX50SMJ-06 | AP2306CGN-HF | SIHFIB6N60A | HCD60R900 | IXFX38N80Q2 | SL9N150T | NTR4501NT1
History: FX50SMJ-06 | AP2306CGN-HF | SIHFIB6N60A | HCD60R900 | IXFX38N80Q2 | SL9N150T | NTR4501NT1



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
irfb4110 | tip36c | bd139 transistor | irf840 datasheet | ge10001 | irf830 | irfp450 | mj21193