SVT034R6NT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SVT034R6NT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 416 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0046 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для SVT034R6NT
SVT034R6NT Datasheet (PDF)
svt034r6ndtr svt034r6nt.pdf

SVT034R6ND(T) 120A30V N 2SVT034R6ND(T) N MOS LVMOS 1
svt037r0nl3.pdf

SVT037R0NL3 58A30V N SVT037R0NL3 N MOS S D1 8LVMOS S 7 D2 DS 3 6
Другие MOSFET... SVT03110PL3 , SVT03200PSA , SVT032R5ND , SVT03380PSA , SVT033R5NAT , SVT033R5NT , SVT034R0NL5 , SVT034R6NDTR , IRLZ44N , SVT035R5NDTR , SVT035R5NL5 , SVT035R5NMJ , SVT035R5NSA , SVT035R5NT , SVT037R0NL3 , SVT041R7NT , SVT04230NR .
History: NTHL040N120SC1 | WMQ30N03T2 | PR802BA33 | CS50N06 | HFP8N65S | AUIRLR2905Z | PJM10H03NSC
History: NTHL040N120SC1 | WMQ30N03T2 | PR802BA33 | CS50N06 | HFP8N65S | AUIRLR2905Z | PJM10H03NSC



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
bd139 transistor | irf840 datasheet | ge10001 | irf830 | irfp450 | mj21193 | s9014 transistor | bc547 transistor datasheet