Справочник MOSFET. SVT034R6NT

 

SVT034R6NT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVT034R6NT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 416 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0046 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SVT034R6NT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:425K  silan
 svt034r6ndtr svt034r6nt.pdf pdf_icon

SVT034R6NT

SVT034R6ND(T) 120A30V N 2SVT034R6ND(T) N MOS LVMOS 1

 7.1. Size:390K  silan
 svt034r0nl5.pdf pdf_icon

SVT034R6NT

SVT034R0NL5 100A30V N SVT034R0NL5 N MOS S D18LVMOS S D2 7 D

 9.1. Size:436K  silan
 svt037r0nl3.pdf pdf_icon

SVT034R6NT

SVT037R0NL3 58A30V N SVT037R0NL3 N MOS S D1 8LVMOS S 7 D2 DS 3 6

 9.2. Size:344K  silan
 svt033r5nt.pdf pdf_icon

SVT034R6NT

SVT033R5NT 180A30V N 2SVT033R5NT N MOS LVMOS 1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRF241 | NCE70T180D

 

 
Back to Top

 


 
.