SVT035R5NMJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SVT035R5NMJ
Маркировка: 035R5NMJ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 47 nC
trⓘ - Время нарастания: 88 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 268 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
Тип корпуса: TO251
SVT035R5NMJ Datasheet (PDF)
svt035r5ndtr svt035r5nmj svt035r5nt.pdf

SVT035R5ND(MJ)(T) 100A30V N 2SVT035R5ND(MJ)(T) N MOS LVMOS 1 1233
svt035r5nsa.pdf

SVT035R5NSA 21A30V N 5 6 7 8 4. SVT035R5NSA N MOS 123. LVMOS 5678.
svt035r5nl5.pdf

SVT035R5NL5 100A30V N S DSVT035R5NL5 N MOS 1 8SLVMOS 2 7 DD S 3 6
svt037r0nl3.pdf

SVT037R0NL3 58A30V N SVT037R0NL3 N MOS S D1 8LVMOS S 7 D2 DS 3 6
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: 2SK3229 | JS65R170WM | BUK7E2R3-40E | IPLK60R360PFD7 | SI5403DC | RFD3N08LSM | MCP20N70
History: 2SK3229 | JS65R170WM | BUK7E2R3-40E | IPLK60R360PFD7 | SI5403DC | RFD3N08LSM | MCP20N70



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DH060N07D | DH060N07B | DH060N03R | DH045N06I | DH045N06F | DH045N06E | DH045N06D | DH045N06B | DH045N06 | DH045N04P | DH045N04I | DH045N04F | DH045N04E | DH045N04D | DH045N04B | DH045N04
Popular searches
irf830 | irfp450 | mj21193 | s9014 transistor | bc547 transistor datasheet | c945 datasheet | irfp260 | ksc2383