Справочник MOSFET. SVT035R5NMJ

 

SVT035R5NMJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVT035R5NMJ
   Маркировка: 035R5NMJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 47 nC
   trⓘ - Время нарастания: 88 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 268 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: TO251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SVT035R5NMJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:435K  silan
svt035r5ndtr svt035r5nmj svt035r5nt.pdfpdf_icon

SVT035R5NMJ

SVT035R5ND(MJ)(T) 100A30V N 2SVT035R5ND(MJ)(T) N MOS LVMOS 1 1233

 5.1. Size:322K  silan
svt035r5nsa.pdfpdf_icon

SVT035R5NMJ

SVT035R5NSA 21A30V N 5 6 7 8 4. SVT035R5NSA N MOS 123. LVMOS 5678.

 5.2. Size:345K  silan
svt035r5nl5.pdfpdf_icon

SVT035R5NMJ

SVT035R5NL5 100A30V N S DSVT035R5NL5 N MOS 1 8SLVMOS 2 7 DD S 3 6

 9.1. Size:436K  silan
svt037r0nl3.pdfpdf_icon

SVT035R5NMJ

SVT037R0NL3 58A30V N SVT037R0NL3 N MOS S D1 8LVMOS S 7 D2 DS 3 6

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 2SK3229 | JS65R170WM | BUK7E2R3-40E | IPLK60R360PFD7 | SI5403DC | RFD3N08LSM | MCP20N70

 

 
Back to Top

 


 
.