SVT037R0NL3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SVT037R0NL3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 56 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 171 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
Тип корпуса: PDFN8-3.3X3.3
Аналог (замена) для SVT037R0NL3
SVT037R0NL3 Datasheet (PDF)
svt037r0nl3.pdf

SVT037R0NL3 58A30V N SVT037R0NL3 N MOS S D1 8LVMOS S 7 D2 DS 3 6
svt03200psa.pdf

SVT03200PSA -12A-30V P 5 6 7 8 4. SVT03200PSA P MOS 123. LVMOS 5678. 4
Другие MOSFET... SVT034R0NL5 , SVT034R6NDTR , SVT034R6NT , SVT035R5NDTR , SVT035R5NL5 , SVT035R5NMJ , SVT035R5NSA , SVT035R5NT , 20N50 , SVT041R7NT , SVT04230NR , SVT042R5NL5TR , SVT042R5NT , SVT043R0NL5TR , SVT043R0NT , SVT044R5NDTR , SVT044R5NL5TR .
History: JMTQ100N03A | NCEP0260
History: JMTQ100N03A | NCEP0260



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APJ14N65T | APJ14N65P | APJ14N65F | APJ14N65D | APN9N50D | AP65R190 | APJ50N65T | APJ50N65P | APJ50N65F | APJ30N65T | APJ30N65P | APJ30N65F | AP65R650 | APG60N10S | APG120N04NF | AP8G06S
Popular searches
s9014 transistor | bc547 transistor datasheet | c945 datasheet | irfp260 | ksc2383 | 2n3773 | b772 transistor | 50n06