Справочник MOSFET. SVT044R5NL5TR

 

SVT044R5NL5TR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVT044R5NL5TR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 178 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 130 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 542 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm
   Тип корпуса: PDFN8-5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SVT044R5NL5TR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:459K  silan
 svt044r5nt svt044r5ndtr svt044r5nl5tr.pdf pdf_icon

SVT044R5NL5TR

SVT044R5NT/D/L5 178A40V N 2 S D1 8SVT044R5NT/D/L5 N MOS S 2 7 D1DS 3 6 LVMOS G 4 5 D 3

 3.1. Size:485K  silan
 svt044r5nt svt044r5nd svt044r5nl5.pdf pdf_icon

SVT044R5NL5TR

SVT044R5NT/D/L5_Datasheet 178A, 40V N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION SVT044R5NT/D/L5 an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using SILAN LVMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance. This device is widely used in UPS, Power Mana

 9.1. Size:352K  silan
 svt043r0nt svt043r0nl5tr.pdf pdf_icon

SVT044R5NL5TR

SVT043R0NT/L5 180A40V N 2S D1 8SVT043R0NT/L5 N MOS S 7 D2 LVMOS 1DS 3 6 G 4 5 D

 9.2. Size:353K  silan
 svt042r5nl5tr svt042r5nt.pdf pdf_icon

SVT044R5NL5TR

SVT042R5NL5(T) 240A40V N 2S D1 8SVT042R5NL5(T) N MOS S 7 D2 LVMOS 1DS 3 6 G 4 5 D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRFBA90N20D | NTD4813NH-1G | 2SJ246L | AUIRLS3034-7P | PJW4N06A | 2SK3479-Z | SI5513CDC

 

 
Back to Top

 


 
.