SVT068R5NDTR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SVT068R5NDTR
Маркировка: 068R5ND
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 107 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 89 nC
Время нарастания (tr): 44 ns
Выходная емкость (Cd): 235 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0085 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для SVT068R5NDTR
SVT068R5NDTR Datasheet (PDF)
..1. Size:414K silan
svt068r5nt svt068r5ndtr svt068r5nstr svt068r5nl5tr.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
svt068r5nt svt068r5ndtr svt068r5nstr svt068r5nl5tr.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVT068R5NT/D/S/L5 80A60V N 2S D1 8SVT068R5NT/D/S/L5 N MOS S 2 7 D LVMOS D1 S 3 6G 4 5 D
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .