Справочник MOSFET. SVT068R5NT

 

SVT068R5NT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SVT068R5NT
   Маркировка: 068R5NT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 158 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 89 nC
   trⓘ - Время нарастания: 44 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 235 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для SVT068R5NT

 

 

SVT068R5NT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:414K  silan
svt068r5nt svt068r5ndtr svt068r5nstr svt068r5nl5tr.pdf

SVT068R5NT
SVT068R5NT

SVT068R5NT/D/S/L5 80A60V N 2S D1 8SVT068R5NT/D/S/L5 N MOS S 2 7 D LVMOS D1 S 3 6G 4 5 D

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top