SVT068R5NT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SVT068R5NT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 158 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 44 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 235 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для SVT068R5NT
SVT068R5NT Datasheet (PDF)
svt068r5nt svt068r5ndtr svt068r5nstr svt068r5nl5tr.pdf
SVT068R5NT/D/S/L5 80A60V N 2S D1 8SVT068R5NT/D/S/L5 N MOS S 2 7 D LVMOS D1 S 3 6G 4 5 D
Другие MOSFET... SVT042R5NT , SVT043R0NL5TR , SVT043R0NT , SVT044R5NDTR , SVT044R5NL5TR , SVT068R5NDTR , SVT068R5NL5TR , SVT068R5NSTR , AO3407 , SVT078R0NS , SVT078R0NT , SVT085R5NKL , SVT085R5NL5TR , SVT085R5NS , SVT085R5NT , SVT10111ND , SVT10500PD .
History: IRHQ7110 | IRF7241PBF | WFJ5N65B
History: IRHQ7110 | IRF7241PBF | WFJ5N65B
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
d882 transistor | 2n3771 | s9018 | 2n3904 equivalent | ksa1220 | s9015 | mje3055t datasheet | a733


