WM02P56M2. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: WM02P56M2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 225 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для WM02P56M2
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
WM02P56M2 даташит
wm02p56m2.pdf
WM02P56M2 P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -5.6A DS D R
wm02p56m3.pdf
WM02P56M3 P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -5.6A DS D R
wm02p23m.pdf
WM02P23M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20 V, I = -2.3 A DS D R
wm02p40me.pdf
WM02P40ME P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -4A DS D R
Другие MOSFET... WM02P18F , WM02P20G , WM02P23M , WM02P26M , WM02P30ME , WM02P40M3 , WM02P40ME , WM02P41M , IRF1010E , WM02P56M3 , WM02P60M2 , WM03DH34M3 , WM03DH60A , WM03DN06D , WM03DN85A , WM03DP50A , WM03N01G .
History: IXFC52N30P
History: IXFC52N30P
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
a42 transistor | bc547c | 2sa726 | 2sd313 | 2sc536 | d718 transistor | irfp250n datasheet | 2n5550
















