WM02P56M2 - описание и поиск аналогов

 

WM02P56M2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WM02P56M2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 225 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для WM02P56M2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM02P56M2 даташит

 ..1. Size:536K  way-on
wm02p56m2.pdfpdf_icon

WM02P56M2

WM02P56M2 P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -5.6A DS D R

 6.1. Size:568K  way-on
wm02p56m3.pdfpdf_icon

WM02P56M2

WM02P56M3 P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -5.6A DS D R

 9.1. Size:474K  way-on
wm02p23m.pdfpdf_icon

WM02P56M2

WM02P23M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20 V, I = -2.3 A DS D R

 9.2. Size:831K  way-on
wm02p40me.pdfpdf_icon

WM02P56M2

WM02P40ME P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -4A DS D R

Другие MOSFET... WM02P18F , WM02P20G , WM02P23M , WM02P26M , WM02P30ME , WM02P40M3 , WM02P40ME , WM02P41M , IRF1010E , WM02P56M3 , WM02P60M2 , WM03DH34M3 , WM03DH60A , WM03DN06D , WM03DN85A , WM03DP50A , WM03N01G .

History: IXFC52N30P

 

 

 

 

↑ Back to Top
.