Справочник MOSFET. WM02P56M2

 

WM02P56M2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WM02P56M2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 225 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WM02P56M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:536K  way-on
wm02p56m2.pdfpdf_icon

WM02P56M2

WM02P56M2 P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -5.6A DS DR

 6.1. Size:568K  way-on
wm02p56m3.pdfpdf_icon

WM02P56M2

WM02P56M3 P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -5.6A DS DR

 9.1. Size:474K  way-on
wm02p23m.pdfpdf_icon

WM02P56M2

WM02P23M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20 V, I = -2.3 A DS DR

 9.2. Size:831K  way-on
wm02p40me.pdfpdf_icon

WM02P56M2

WM02P40ME P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -4A DS DR

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IPB030N08N3G | HM50N20 | 2SK3572-Z | NCE60NF080T | SI2312 | IPD14N06S2-80 | FDMC7208S

 

 
Back to Top

 


 
.