Справочник MOSFET. WM02P56M2

 

WM02P56M2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WM02P56M2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 225 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для WM02P56M2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM02P56M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:536K  way-on
wm02p56m2.pdfpdf_icon

WM02P56M2

WM02P56M2 P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -5.6A DS DR

 6.1. Size:568K  way-on
wm02p56m3.pdfpdf_icon

WM02P56M2

WM02P56M3 P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -5.6A DS DR

 9.1. Size:474K  way-on
wm02p23m.pdfpdf_icon

WM02P56M2

WM02P23M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20 V, I = -2.3 A DS DR

 9.2. Size:831K  way-on
wm02p40me.pdfpdf_icon

WM02P56M2

WM02P40ME P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -4A DS DR

Другие MOSFET... WM02P18F , WM02P20G , WM02P23M , WM02P26M , WM02P30ME , WM02P40M3 , WM02P40ME , WM02P41M , IRF530 , WM02P56M3 , WM02P60M2 , WM03DH34M3 , WM03DH60A , WM03DN06D , WM03DN85A , WM03DP50A , WM03N01G .

History: 2SK2977LS

 

 
Back to Top

 


 
.