Справочник MOSFET. WM03DN85A

 

WM03DN85A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WM03DN85A
   Маркировка: 3404
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 5.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 2.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8L

 Аналог (замена) для WM03DN85A

 

 

WM03DN85A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:388K  way-on
 wm03dn85a.pdf

WM03DN85A WM03DN85A

Document: W0803227, Rev: A WM03DN85A 2 Dual N-Channel MOSFET Features V = 30V, I = 8.5A DS DR

 8.1. Size:595K  way-on
 wm03dn06d.pdf

WM03DN85A WM03DN85A

WM03DN06D Dual N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 0.6A DS DR

 9.1. Size:665K  way-on
 wm03dh34m3.pdf

WM03DN85A WM03DN85A

Document: W0803130, Rev:B WM03DH34M3 D N+P Dual Channel MOSFET Features N - Channel V = 30V, I = 3.4A DS DR

 9.2. Size:376K  way-on
 wm03dp50a.pdf

WM03DN85A WM03DN85A

WM03DP50A Dual P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Single MOSFETs V = -30V, I = -5A DS DR

 9.3. Size:675K  way-on
 wm03dh60a.pdf

WM03DN85A WM03DN85A

WM03DH60A N+P Dual Channel Enhancement MOSFET Features D1 Way-on Small Signal MOSFETs D1D2 N - Channel D2V = 30V, I = 5.8A DS DR

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top