Справочник MOSFET. WM03N58M

 

WM03N58M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WM03N58M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 1.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 64 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WM03N58M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:480K  way-on
 wm03n58m.pdf pdf_icon

WM03N58M

WM03N58M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 5.8A DS DR

 0.1. Size:535K  way-on
 wm03n58m2.pdf pdf_icon

WM03N58M

WM03N58M2 N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 5.8A DS DR

 8.1. Size:467K  way-on
 wm03n57m.pdf pdf_icon

WM03N58M

WM03N57M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30 V, I = 5.8 A DS DR

 9.1. Size:2401K  way-on
 wm03n01g.pdf pdf_icon

WM03N58M

Document: W0803083, Rev: D WM03N01G 1 N-Channel Trench MOSFET Features V = 30V, I = 0.1A DS DR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 2SK3610-01 | LR024N | 11P50A | NTP2955 | 2SK568 | SMK0460D | PMN70XPE

 

 
Back to Top

 


 
.