Справочник MOSFET. WM03N58M

 

WM03N58M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WM03N58M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 1.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 64 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для WM03N58M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM03N58M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:480K  way-on
wm03n58m.pdfpdf_icon

WM03N58M

WM03N58M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 5.8A DS DR

 0.1. Size:535K  way-on
wm03n58m2.pdfpdf_icon

WM03N58M

WM03N58M2 N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 5.8A DS DR

 8.1. Size:467K  way-on
wm03n57m.pdfpdf_icon

WM03N58M

WM03N57M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30 V, I = 5.8 A DS DR

 9.1. Size:2401K  way-on
wm03n01g.pdfpdf_icon

WM03N58M

Document: W0803083, Rev: D WM03N01G 1 N-Channel Trench MOSFET Features V = 30V, I = 0.1A DS DR

Другие MOSFET... WM03N01G , WM03N01H , WM03N01L , WM03N06M , WM03N09F , WM03N115A , WM03N32M , WM03N57M , STP80NF70 , WM03N58M2 , WM03N86M2 , WM03P115R , WM03P27M , WM03P41M , WM03P41M2 , WM03P42M , WM03P42M2 .

History: SQJ500AEP | AOT12N60FD | MCQ4407 | MCQ4407B

 

 
Back to Top

 


 
.