WM03N58M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: WM03N58M
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 1.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 64 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для WM03N58M
WM03N58M Datasheet (PDF)
wm03n58m.pdf

WM03N58M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 5.8A DS DR
wm03n58m2.pdf

WM03N58M2 N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 5.8A DS DR
wm03n57m.pdf

WM03N57M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30 V, I = 5.8 A DS DR
wm03n01g.pdf

Document: W0803083, Rev: D WM03N01G 1 N-Channel Trench MOSFET Features V = 30V, I = 0.1A DS DR
Другие MOSFET... WM03N01G , WM03N01H , WM03N01L , WM03N06M , WM03N09F , WM03N115A , WM03N32M , WM03N57M , STP80NF70 , WM03N58M2 , WM03N86M2 , WM03P115R , WM03P27M , WM03P41M , WM03P41M2 , WM03P42M , WM03P42M2 .
History: SQJ500AEP | AOT12N60FD | MCQ4407 | MCQ4407B
History: SQJ500AEP | AOT12N60FD | MCQ4407 | MCQ4407B



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH1566AKQ | JMSH1566AK | JMSH1566AG | JMSH1565AUS | JMSH1565APS | JMSH1565AKSQ | JMSH1565AKS | JMSH1565AGS | JMSH1552PU | JMSH1552PP | JMSH1552PK | JMSH1552PG | JMSH1552AU | JMSH1552AP | JMSH1552AK | JMSH1552AG
Popular searches
2sc1384 | mj21196g | irfb4115 | 21270 transistor | k3569 | irf640 datasheet | c945 transistor equivalent | irfz44 datasheet