WM03N58M MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WM03N58M
Маркировка: 3400
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 12.7 nC
Время нарастания (tr): 1.5 ns
Выходная емкость (Cd): 64 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.027 Ohm
Тип корпуса: SOT23
WM03N58M Datasheet (PDF)
wm03n58m.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WM03N58M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 5.8A DS DR
wm03n58m2.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WM03N58M2 N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 5.8A DS DR
wm03n57m.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WM03N57M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30 V, I = 5.8 A DS DR
wm03n01g.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Document: W0803083, Rev: D WM03N01G 1 N-Channel Trench MOSFET Features V = 30V, I = 0.1A DS DR
wm03n32m.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WM03N32M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 3.2A DS DR
wm03n06m.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WM03N06M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 0.6A DS DR
wm03n09f.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WM03N09F N-Channel Enhancement MOSFET Features G Way-on Small Signal MOSFETs D V = 30V, I = 0.93A DS DR
wm03n86m2.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WM03N86M2 N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 8.6A DS DR
wm03n115a.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WM03N115A 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDWM03N115A uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet Dmaintain superior switching performance. S SFeatures SG V = 30V, I = 11.5A DS DSOP-8LR
wm03n01l.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Document: W0803102, Rev: C WM03N01L N-Channel MOSFET Features V = 30V, I = 0.1A DS DR
wm03n01h.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WM03N01H N-Channel Enhancement MOSFET Features D Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 0.1A DS DR
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .