Справочник MOSFET. WM05P02F

 

WM05P02F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WM05P02F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7 Ohm
   Тип корпуса: DFN1006-3L
 

 Аналог (замена) для WM05P02F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM05P02F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:335K  way-on
 wm05p02f.pdf pdf_icon

WM05P02F

Document: W0803414, Rev: A WM05P02F 1 P-Channel MOSFET Features V = -50V, I = -0.25A DS DGR

 7.1. Size:831K  way-on
 wm05p02m.pdf pdf_icon

WM05P02F

WM05P02M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -50V, I = -0.2A DS DR

 7.2. Size:617K  way-on
 wm05p02g.pdf pdf_icon

WM05P02F

WM05P02G P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -50V, I = -0.2A DS DR

 8.1. Size:487K  way-on
 wm05p01m.pdf pdf_icon

WM05P02F

WM05P01M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -50V, I = -0.13A DS DR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WM04P50M , WM04P56M2 , WM05DP01D , WM05N02G , WM05N02M , WM05N03M , WM05P01G , WM05P01M , IRF1405 , WM05P02G , WM05P02M , WM05P20M , WM06DN03DE , WM06N03FB , WM06N03FE , WM06N03GE , WM06N03HE .

 

 
Back to Top

 


 
.