WMJ90N65C4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WMJ90N65C4
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 430 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 90 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 142 nC
Время нарастания (tr): 79 ns
Выходная емкость (Cd): 250 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.029 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для WMJ90N65C4
WMJ90N65C4 Datasheet (PDF)
wmj90n65c4.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WM C4 MJ90N65C 650V 0.024 S0 Super Junction Power MOSFETDescripptionWMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayons n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reand low ga charge performanc WMOSTM C4 is ate ce. suitable fo applicat which require superior or tions h S D G power density and o
wmj90n65f2.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WM F2 MJ90N65F 650V 0.025 S0 Super Junction Power MOSFETDescripptionWMOSTM F2 is Wa 2nd generation super ayons n junction MOSFET fam with fa body di F2 M mily ast iode. series pro all benefits of a fast switching ovide b f sSJ-MOSFE while of an extremely fa body ET ffering e ast diode. WM F2 makes especially resonant MOSTM e rS D G switching a s more
wmj90n60f2.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WM F2 MJ90N60F 600V 0.025 S0 Super Junction Power MOSFETDescripptionWMOSTM F2 is Wa 2nd generation super ayons n junction MOSFET fam with fa body di F2 M mily ast iode. series pro all benefits of a fast switching ovide b f sSJ-MOSFE while of an extremely fa body ET ffering e ast diode. WM F2 makes especially resonant MOSTM e rS D G switching a s more
wmj90n60c4.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WM C4 MJ90N60C 600V 0.024 S0 Super Junction Power MOSFETDescripptionWMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayons n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reand low ga charge performanc WMOSTM C4 is ate ce. suitable fo applicat which require superior or tions h S D G power density and o
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .