WMK13N50D1B - описание и поиск аналогов

 

WMK13N50D1B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMK13N50D1B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 148 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для WMK13N50D1B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMK13N50D1B даташит

 ..1. Size:1438K  way-on
wmk13n50d1b wml13n50d1b.pdfpdf_icon

WMK13N50D1B

WMK13N50D1B WML13N50D1B 500V 13A 0.5 N-ch Power MOSFET Description TO-220 TO-220F WMOSTM D1 is Wayon s 1st generation VDMOS TAB family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. G D S G D S Features Typ.R =0.5 @V =10V DS(

 6.1. Size:661K  way-on
wmm13n50c4 wml13n50c4 wmo13n50c4 wmn13n50c4 wmp13n50c4 wmk13n50c4.pdfpdf_icon

WMK13N50D1B

WMM13N50C4, WML13N5 WM C4 50C4, MO13N50C WMN13N50C4, WMP13N5 WM C4 50C4, MK13N50C 500V 0.4 S unction Power M T V Super Ju MOSFET Descrip ption WMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayon s n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re D S D G G G S D G and low ga charge performanc WMO

 8.1. Size:658K  way-on
wml13n70em wmk13n70em wmm13n70em wmn13n70em wmp13n70em wmo13n70em.pdfpdf_icon

WMK13N50D1B

WML13 WMK13N7 3N70EM, W 70EM, WMM13N70EM WMN13 WMP13N7 3N70EM, W 70EM, WMO13N70EM 700V n Power MOSFET V 0.35 Super Junction Descrip ption WMOSTM EM is Wayon s 3rd generation super W n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re S D D G G G S D G T and low ga ce. WMOSTM EM is ate ch

 8.2. Size:672K  way-on
wml13n80m3 wmn13n80m3 wmm13n80m3 wmo13n80m3 wmp13n80m3 wmk13n80m3.pdfpdf_icon

WMK13N50D1B

WML13N80M3, W 80M3, WM M3 WMN13N8 MM13N80M WMO1 80M3, WM M3 13N80M3, WMP13N8 MK13N80M 800V 0.4 S T Super Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM M3 is Wayo neration 800 M on s 3rd gen 0V super junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance D echnology fo y low on-re S S G D D G G G T and low ga charge performa

Другие MOSFET... WMK099N10LGS , WMK100N07TS , WMK100N10TS , WMK110N20HG2 , WMK115N15HG4 , WMK119N12HG4 , WMK119N12LG4 , WMK120N04TS , 2N60 , WML13N50D1B , WMK15N50D1B , WML15N50D1B , WMK161N15T2 , WMK16N10T1 , WMK175N10HG4 , WMK175N10LG4 , WMK180N03TS .

History: 2N7081-220M-ISO | STD20NF06T4

 

 

 

 

↑ Back to Top
.