WMK28N15T2. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: WMK28N15T2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 7.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для WMK28N15T2
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
WMK28N15T2 даташит
wmk28n15t2.pdf
WMK28N15T2 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMK28N15T2 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features S D G V = 150V, I = 28A DS D TO-220 R
wml28n50c4 wmk28n50c4 wmn28n50c4 wmm28n50c4 wmj28n50c4.pdf
WML28N5 WM C4 50C4, MK28N50C WMN2 MJ28N50C 28N50C4, WMM28N50C4, WM C4 500V 0.1 S T Super Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayon s n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re S D D G G G S D G and low ga charge performanc WMOSTM C4 is ate ce.
wml28n65f2 wmk28n65f2 wmn28n65f2 wmm28n65f2 wmj28n65f2.pdf
WML28N65F2, WM F2 MK28N65F WMN2 N65F2, WM F2 28N65F2, WMM28N MJ28N65F 650V 0.15 S T V Super Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM F2 is Wa 2nd generation super ayon s junction MOSFET fam with fa body di F2 M mily ast iode. S series pro all benefits of a fast switching ovide b f s S D D G G G S D G SJ-MOSFE while of an extremely fa body ET fferin
wml28n60c4 wmk28n60c4 wmn28n60c4 wmm28n60c4 wmj28n60c4.pdf
WML28N6 WM C4 60C4, MK28N60C WMN2 MJ28N60C 28N60C4, WMM28N60C4, WM C4 600V 0.13 S T V Super Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayon s n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re S D D G G G S D G and low ga charge performanc WMOSTM C4 is ate c
Другие MOSFET... WML18N50D1B , WMJ18N50D1B , WMK18P10TS , WMK190N03TS , WMK190N15HG4 , WMK220N20HG3 , WMK25N06TS , WMK25N10T1 , RU7088R , WMK340N20HG2 , WMK4N90D1B , WML4N90D1B , WMM4N90D1B , WMK50N06TS , WMK6N90D1 , WML6N90D1 , WMM6N90D1 .
History: SLC500MM15SHN2 | ME2306A-G
History: SLC500MM15SHN2 | ME2306A-G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
2sc536 datasheet | bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102 | mj15003g | oc75 transistor






