WMK28N15T2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: WMK28N15T2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 7.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для WMK28N15T2
WMK28N15T2 Datasheet (PDF)
wmk28n15t2.pdf

WMK28N15T2 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMK28N15T2 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features SDG V = 150V, I = 28A DS DTO-220R
wml28n50c4 wmk28n50c4 wmn28n50c4 wmm28n50c4 wmj28n50c4.pdf

WML28N5 WM C4 50C4, MK28N50CWMN2 MJ28N50C28N50C4, WMM28N50C4, WM C4 500V 0.1 S TSuper Junction Power MOSFETDescripptionWMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayons n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reS D D G GG S D G and low ga charge performanc WMOSTM C4 is ate ce.
wml28n65f2 wmk28n65f2 wmn28n65f2 wmm28n65f2 wmj28n65f2.pdf

WML28N65F2, WM F2 MK28N65FWMN2 N65F2, WM F2 28N65F2, WMM28N MJ28N65F 650V 0.15 S TV Super Junction Power MOSFETDescripptionWMOSTM F2 is Wa 2nd generation super ayons junction MOSFET fam with fa body di F2 M mily ast iode. S series pro all benefits of a fast switching ovide b f sS D D G GG S D G SJ-MOSFE while of an extremely fa body ET fferin
wml28n60c4 wmk28n60c4 wmn28n60c4 wmm28n60c4 wmj28n60c4.pdf

WML28N6 WM C4 60C4, MK28N60CWMN2 MJ28N60C28N60C4, WMM28N60C4, WM C4 600V 0.13 S TV Super Junction Power MOSFETDescripptionWMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayons n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reS D D G GG S D G and low ga charge performanc WMOSTM C4 is ate c
Другие MOSFET... WML18N50D1B , WMJ18N50D1B , WMK18P10TS , WMK190N03TS , WMK190N15HG4 , WMK220N20HG3 , WMK25N06TS , WMK25N10T1 , MMD60R360PRH , WMK340N20HG2 , WMK4N90D1B , WML4N90D1B , WMM4N90D1B , WMK50N06TS , WMK6N90D1 , WML6N90D1 , WMM6N90D1 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH1008PK | JMSH1008PGQ | JMSH1008PG | JMSH1008PE | JMSH1008PC | JMSH1008AKQ | JMSH1008AGQ | JMSH1008AG | JMSH1008AE | JMSH1008AC | JMSH0606PU | JMSH0606PK | JMSH0606PGQ | JMSH0606PGDQ | JMSH0606PGD | JMSH0606PG
Popular searches
2sc536 datasheet | bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102 | mj15003g | oc75 transistor