WML03N80M3 - описание и поиск аналогов

 

WML03N80M3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WML03N80M3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для WML03N80M3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WML03N80M3 даташит

 ..1. Size:669K  way-on
 wml03n80m3 wmn03n80m3 wmm03n80m3 wmo03n80m3 wmp03n80m3 wmk03n80m3.pdf pdf_icon

WML03N80M3

WML03N80M3, W 80M3, WM M3 WMN03N8 MM03N80M WMO0 80M3, WM M3 03N80M3, WMP03N8 MK03N80M 800 Junction ET 0V 3.0 Super J n Power MOSFE Descrip ption WMOSTM M3 is Wayo neration 800 M on s 3rd gen 0V super junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance D echnology fo y low on-re S S G D D G G G T and low ga charge perf

 9.1. Size:970K  way-on
 wml030n06hg4.pdf pdf_icon

WML03N80M3

WML030N06HG4 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WML030N06HG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device GDS is well suited for high efficiency fast switching applications. TO-220F Features V = 60V, I = 78A

Другие MOSFET... WMK80N04T1 , WMK80N06TS , WMK80N08TS , WMK90N08TS , WMK9N50D1B , WML9N50D1B , WMO9N50D1B , WML030N06HG4 , IRF640N , WMN03N80M3 , WMM03N80M3 , WMO03N80M3 , WMP03N80M3 , WMK03N80M3 , WML05N100C2 , WMK05N100C2 , WMM05N100C2 .

History: MXP43P9AE | LBSS138WT1G | SM1F15NSV | LBSS139DW1T1G | KX6N70F

 

 

 

 

↑ Back to Top
.