WMO06N80M3 - аналоги и даташиты транзистора

 

WMO06N80M3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: WMO06N80M3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для WMO06N80M3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMO06N80M3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:673K  way-on
 wml06n80m3 wmn06n80m3 wmm06n80m3 wmo06n80m3 wmp06n80m3 wmk06n80m3.pdf pdf_icon

WMO06N80M3

WML06N80M3, W 80M3, WM M3 WMN06N8 MM06N80MWMO0 80M3, WM M3 06N80M3, WMP06N8 MK06N80M 800 Junction ET0V 1.8 Super J n Power MOSFEDescripptionWMOSTM M3 is Wayo neration 800M ons 3rd gen 0V super junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance D echnology fo y low on-re S S G D D GG G Tand low ga charge perf

 9.1. Size:630K  way-on
 wmo060n10hgs.pdf pdf_icon

WMO06N80M3

WMO060N10HGS 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO060N10HGS uses Wayon's advanced power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state Dresistance and yet maintain superior switching performance. This Sdevice is well suited for high efficiency fast switching applications. GTO-252Features V = 100V, I = 105A

Другие MOSFET... WMM05N80M3 , WMO05N80M3 , WMP05N80M3 , WMK05N80M3 , WML060N10HGS , WML06N80M3 , WMN06N80M3 , WMM06N80M3 , IRFB3607 , WMP06N80M3 , WMK06N80M3 , WML071N15HG2 , WML07N100C2 , WMN07N100C2 , WMM07N100C2 , WMJ07N100C2 , WMO07N100C2 .

History: SFS10R055DNF | BSF134N10NJ3G

 

 
Back to Top

 


 
.