Справочник MOSFET. WMP08N70EM

 

WMP08N70EM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMP08N70EM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 24 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.93 Ohm
   Тип корпуса: TO251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WMP08N70EM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:668K  way-on
wml08n70em wmk08n70em wmm08n70em wmn08n70em wmp08n70em wmo08n70em.pdfpdf_icon

WMP08N70EM

WML08 WMK08N78N70EM, W 70EM, WMM08N70EM WMN08 WMP08N78N70EM, W 70EM, WMO08N70EM 700V Power M T V 0.8 Super Junction P MOSFETDescripptionWMOSTM EM is Wayons 3rd generation super W n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reS D D G GG S D G Tand low ga ce. WMOSTM EM is at

 6.1. Size:670K  way-on
wmm08n70c4 wml08n70c4 wmo08n70c4 wmn08n70c4 wmp08n70c4 wmk08n70c4.pdfpdf_icon

WMP08N70EM

WMM0 70C4, MO08N70C08N70C4, WML08N7 WM C4 WMN0 70C4, MK08N70C08N70C4, WMP08N7 WM C4 700V 0.65 S TV Super Junction Power MOSFETDescripptionWMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayons n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reD S D G GG S D G and low ga charge performanc WM

 8.1. Size:667K  way-on
wmm08n60c4 wml08n60c4 wmo08n60c4 wmn08n60c4 wmp08n60c4 wmk08n60c4.pdfpdf_icon

WMP08N70EM

WMM0 60C4, MO08N60C08N60C4, WML08N6 WM C4 WMN0 60C4, MK08N60C08N60C4, WMP08N6 WM C4 600V 0.65 S TV Super Junction Power MOSFETDescripptionWMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayons n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reD S D G GG S D G and low ga charge performanc WM

 8.2. Size:668K  way-on
wml08n65em wmk08n65em wmm08n65em wmn08n65em wmp08n65em wmo08n65em.pdfpdf_icon

WMP08N70EM

WML08 WMK08N68N65EM, W 65EM, WMM08N65EM WMN08 WMP08N68N65EM, W 65EM, WMO08N65EM 650V 0.8 S unction Power M TV Super Ju MOSFETDescripptionWMOSTM EM is Wayons 3rd generation super W n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reS D D G GG S D G Tand low ga ce. WMOSTM EM is a

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 2SJ610 | MTP1N55 | IRF7343 | FSS23A4R | NCEAP40T11K | NCE70T260K | NTMFS5C423NLT1G

 

 
Back to Top

 


 
.