Справочник MOSFET. WMK10N65D1B

 

WMK10N65D1B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WMK10N65D1B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 34.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 38 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 136 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для WMK10N65D1B

 

 

WMK10N65D1B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1354K  way-on
 wml10n65d1b wmk10n65d1b.pdf

WMK10N65D1B WMK10N65D1B

WML10N65D1B WMK10N65D1B 650V 10A 0.75 N-ch Power MOSFET Description TO-220 TO-220F WMOSTM D1 is Wayons 1st generation TAB VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. G G D S D S Features V =700V@T DS jmax

 6.1. Size:671K  way-on
 wmm10n65c4 wml10n65c4 wmo10n65c4 wmn10n65c4 wmp10n65c4 wmk10n65c4.pdf

WMK10N65D1B WMK10N65D1B

WMM10N65C4, WML10N6 WM C4 65C4, MO10N65CWMN10N65C4, WMP10N6 WM C4 65C4, MK10N65C 650V 0.52 S TV Super Junction Power MOSFETDescripptionWMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayons n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reD S D G GG S D G and low ga charge performanc WMOSTM

 6.2. Size:659K  way-on
 wml10n65em wmk10n65em wmm10n65em wmn10n65em wmp10n65em wmo10n65em.pdf

WMK10N65D1B WMK10N65D1B

WML10 WMK10N60N65EM, W 65EM, WMM10N65EM WMN10 WMP10N60N65EM, W 65EM, WMO10N65EM 650V 0.52 S TV Super Junction Power MOSFETDescripptionWMOSTM EM is Wayons 3rd generation super W n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reS D D G GG S D G Tand low ga ce. WMOSTM EM is ate

 7.1. Size:670K  way-on
 wmm10n60c4 wml10n60c4 wmo10n60c4 wmn10n60c4 wmp10n60c4 wmk10n60c4.pdf

WMK10N65D1B WMK10N65D1B

WMM10N60C4, WML10N6 WM C4 60C4, MO10N60CWMN10N60C4, WMP10N6 WM C4 60C4, MK10N60C 600V 0.52 S TV Super Junction Power MOSFETDescripptionWMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayons n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reD S D G GG S D G and low ga charge performanc WMOSTM

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top