WMK10N70EM. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: WMK10N70EM
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 12.8 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для WMK10N70EM
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
WMK10N70EM даташит
wml10n70em wmk10n70em wmm10n70em wmn10n70em wmp10n70em wmo10n70em.pdf
WML10 WMK10N7 0N70EM, W 70EM, WMM10N70EM WMN10 WMP10N7 0N70EM, W 70EM, WMO10N70EM 700V 0.52 S T V Super Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM EM is Wayon s 3rd generation super W n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re S D D G G G S D G T and low ga ce. WMOSTM EM is ate
wmm10n70c4 wml10n70c4 wmo10n70c4 wmn10n70c4 wmp10n70c4 wmk10n70c4.pdf
WMM10N70C4, WML10N7 WM C4 70C4, MO10N70C WMN10N70C4, WMP10N7 WM C4 70C4, MK10N70C 700V 0.52 S T V Super Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayon s n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re D S D G G G S D G and low ga charge performanc WMOSTM
wml10n65d1b wmk10n65d1b.pdf
WML10N65D1B WMK10N65D1B 650V 10A 0.75 N-ch Power MOSFET Description TO-220 TO-220F WMOSTM D1 is Wayon s 1st generation TAB VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. G G D S D S Features V =700V@T DS jmax
wmm10n65c4 wml10n65c4 wmo10n65c4 wmn10n65c4 wmp10n65c4 wmk10n65c4.pdf
WMM10N65C4, WML10N6 WM C4 65C4, MO10N65C WMN10N65C4, WMP10N6 WM C4 65C4, MK10N65C 650V 0.52 S T V Super Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayon s n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re D S D G G G S D G and low ga charge performanc WMOSTM
Другие MOSFET... WMK10N65EM , WMM10N65EM , WMN10N65EM , WMP10N65EM , WMO10N65EM , WML10N70D1 , WMO10N70D1 , WML10N70EM , IRF540 , WMM10N70EM , WMN10N70EM , WMP10N70EM , WMO10N70EM , WML10N80D1 , WMJ10N80D1 , WML10N80M3 , WMN10N80M3 .
History: WMK14N65C4 | 2SK4112
History: WMK14N65C4 | 2SK4112
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827 | c5200 datasheet | 2n2614 | 2sa777 replacement | 2sc828 transistor | 2sd357









