WMN10N80M3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMN10N80M3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.03 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для WMN10N80M3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMN10N80M3 даташит

 ..1. Size:675K  way-on
 wml10n80m3 wmn10n80m3 wmm10n80m3 wmo10n80m3 wmp10n80m3 wmk10n80m3.pdf pdf_icon

WMN10N80M3

WML10N80M3, W 80M3, WM M3 WMN10N8 MM10N80M WMO1 80M3, WM M3 10N80M3, WMP10N8 MK10N80M 800V 0.86 S T V Super Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM M3 is Wayo neration 800 M on s 3rd gen 0V super junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance D echnology fo y low on-re S S G D D G G G T and low ga charge perfo

 8.1. Size:1319K  samwin
 swf10n65d swmn10n65d swy10n65d swp10n65d swu10n65d swj10n65d.pdf pdf_icon

WMN10N80M3

SW10N65D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-220SF/TO-220FT/TO-220/TO-262/TO-262N MOSFET Features TO-262 TO-262N TO-220F TO-220SF TO-220FT TO-220 BVDSS 650V High ruggedness ID 10A Low RDS(ON) (Typ 0.9 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 35nC) RDS(ON) 0.9 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 Application UPS,Inverter, 1 1 1 2 2 1 1 1

 8.2. Size:1328K  samwin
 swp10n65k swf10n65k swn10n65k swd10n65k swu10n65k swmn10n65k.pdf pdf_icon

WMN10N80M3

SW10N65K N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220F/TO-251N /TO-252/ TO-262/TO-220SF MOSFET Features TO-220F TO-251N TO-262 TO-220 TO-252 TO-220SF BVDSS 650V High ruggedness ID 10A Low RDS(ON) (Typ 0.36 )@VGS=10V RDS(ON) 0.36 Low Gate Charge (Typ29nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 2 1 2 1 2 1 2 1 2 1 2 Applicatio

 8.3. Size:671K  way-on
 wmm10n65c4 wml10n65c4 wmo10n65c4 wmn10n65c4 wmp10n65c4 wmk10n65c4.pdf pdf_icon

WMN10N80M3

WMM10N65C4, WML10N6 WM C4 65C4, MO10N65C WMN10N65C4, WMP10N6 WM C4 65C4, MK10N65C 650V 0.52 S T V Super Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayon s n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re D S D G G G S D G and low ga charge performanc WMOSTM

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... WMK10N70EM, WMM10N70EM, WMN10N70EM, WMP10N70EM, WMO10N70EM, WML10N80D1, WMJ10N80D1, WML10N80M3, IRF640N, WMM10N80M3, WMO10N80M3, WMP10N80M3, WMK10N80M3, WML115N15HG4, WML11N65SR, WMK11N65SR, WMM11N65SR