WMO13N65EM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMO13N65EM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.39 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для WMO13N65EM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMO13N65EM даташит

 ..1. Size:663K  way-on
 wml13n65em wmk13n65em wmm13n65em wmn13n65em wmp13n65em wmo13n65em.pdf pdf_icon

WMO13N65EM

WML13 WMK13N6 3N65EM, W 65EM, WMM13N65EM WMN13 WMP13N6 3N65EM, W 65EM, WMO13N65EM 650V n Power MOSFET V 0.35 Super Junction Descrip ption WMOSTM EM is Wayon s 3rd generation super W n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re S D D G G G S D G T and low ga ce. WMOSTM EM is ate ch

 8.1. Size:658K  way-on
 wml13n70em wmk13n70em wmm13n70em wmn13n70em wmp13n70em wmo13n70em.pdf pdf_icon

WMO13N65EM

WML13 WMK13N7 3N70EM, W 70EM, WMM13N70EM WMN13 WMP13N7 3N70EM, W 70EM, WMO13N70EM 700V n Power MOSFET V 0.35 Super Junction Descrip ption WMOSTM EM is Wayon s 3rd generation super W n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re S D D G G G S D G T and low ga ce. WMOSTM EM is ate ch

 8.2. Size:672K  way-on
 wml13n80m3 wmn13n80m3 wmm13n80m3 wmo13n80m3 wmp13n80m3 wmk13n80m3.pdf pdf_icon

WMO13N65EM

WML13N80M3, W 80M3, WM M3 WMN13N8 MM13N80M WMO1 80M3, WM M3 13N80M3, WMP13N8 MK13N80M 800V 0.4 S T Super Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM M3 is Wayo neration 800 M on s 3rd gen 0V super junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance D echnology fo y low on-re S S G D D G G G T and low ga charge performa

 8.3. Size:987K  way-on
 wmo13n10ts.pdf pdf_icon

WMO13N65EM

WMO13N10TS 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO13N10TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. D Features S G V = 100V, I = 13A DS D TO-252 R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... WMO12N80M3, WMP12N80M3, WMK12N80M3, WML13N65EM, WMK13N65EM, WMM13N65EM, WMN13N65EM, WMP13N65EM, 5N60, WML13N70EM, WMK13N70EM, WMM13N70EM, WMN13N70EM, WMP13N70EM, WMO13N70EM, WML13N80M3, WMN13N80M3