Справочник MOSFET. WMN13N80M3

 

WMN13N80M3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMN13N80M3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 54 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для WMN13N80M3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMN13N80M3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:672K  way-on
wml13n80m3 wmn13n80m3 wmm13n80m3 wmo13n80m3 wmp13n80m3 wmk13n80m3.pdfpdf_icon

WMN13N80M3

WML13N80M3, W 80M3, WM M3 WMN13N8 MM13N80MWMO1 80M3, WM M3 13N80M3, WMP13N8 MK13N80M 800V 0.4 S TSuper Junction Power MOSFETDescripptionWMOSTM M3 is Wayo neration 800M ons 3rd gen 0V super junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance D echnology fo y low on-re S S G D D GG G Tand low ga charge performa

 8.1. Size:658K  way-on
wml13n70em wmk13n70em wmm13n70em wmn13n70em wmp13n70em wmo13n70em.pdfpdf_icon

WMN13N80M3

WML13 WMK13N73N70EM, W 70EM, WMM13N70EM WMN13 WMP13N73N70EM, W 70EM, WMO13N70EM 700V n Power MOSFETV 0.35 Super JunctionDescripptionWMOSTM EM is Wayons 3rd generation super W n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reS D D G GG S D G Tand low ga ce. WMOSTM EM is ate ch

 8.2. Size:661K  way-on
wmm13n50c4 wml13n50c4 wmo13n50c4 wmn13n50c4 wmp13n50c4 wmk13n50c4.pdfpdf_icon

WMN13N80M3

WMM13N50C4, WML13N5 WM C4 50C4, MO13N50CWMN13N50C4, WMP13N5 WM C4 50C4, MK13N50C 500V 0.4 S unction Power M TV Super Ju MOSFETDescripptionWMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayons n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reD S D G GG S D G and low ga charge performanc WMO

 8.3. Size:663K  way-on
wml13n65em wmk13n65em wmm13n65em wmn13n65em wmp13n65em wmo13n65em.pdfpdf_icon

WMN13N80M3

WML13 WMK13N63N65EM, W 65EM, WMM13N65EM WMN13 WMP13N63N65EM, W 65EM, WMO13N65EM 650V n Power MOSFETV 0.35 Super JunctionDescripptionWMOSTM EM is Wayons 3rd generation super W n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reS D D G GG S D G Tand low ga ce. WMOSTM EM is ate ch

Другие MOSFET... WMO13N65EM , WML13N70EM , WMK13N70EM , WMM13N70EM , WMN13N70EM , WMP13N70EM , WMO13N70EM , WML13N80M3 , IRF2807 , WMM13N80M3 , WMO13N80M3 , WMP13N80M3 , WMK13N80M3 , WML14N60C4 , WMK14N60C4 , WMM14N60C4 , WMN14N60C4 .

History: STB9NK90Z | SSPS7333P | HFW9N50 | 2N7002B | KNF6450A | IRF7701G | IPI100N08S2-07

 

 
Back to Top

 


 
.