Справочник MOSFET. WMN15N80M3

 

WMN15N80M3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMN15N80M3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 38 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 63 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
   Тип корпуса: TO262
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WMN15N80M3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:661K  way-on
wml15n80m3 wmm15n80m3 wmn15n80m3 wmj15n80m3 wmk15n80m3.pdfpdf_icon

WMN15N80M3

WML15N8 MM15N80M80M3, WM M3 WMN1 80M3, WM M3 15N80M3, WMJ15N8 MK15N80M 800V 0.3 S TSuper Junction Power MOSFETDescripptionWMOSTM M3 is Wayo neration 800M ons 3rd gen 0V super junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reS D D G GG S D G Tand low ga charge performanc WMOSTM M3

 8.1. Size:703K  samwin
swmn15n50d.pdfpdf_icon

WMN15N80M3

SW15N50D N-channel Enhanced mode TO-220SF MOSFET TO-220SF BVDSS : 500V Features ID : 15A High ruggedness RDS(ON) : 0.22 Low RDS(ON) (Typ 0.22)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 92nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: LED , Charger, Adaptor 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This

 8.2. Size:1002K  samwin
swmn15n65j swd15n65j.pdfpdf_icon

WMN15N80M3

SW15N65JN-channel Enhanced mode TO-220SF/TO-252 MOSFETFeaturesTO-220SF TO-252BVDSS : 650V High ruggednessID : 15A Low RDS(ON) (Typ 0.22)@VGS=10VRDS(ON) : 0.22 Low Gate Charge (Typ 29nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1122 Application:LED , Charger, PC Power 3311. Gate 2. Drain 3. SourceGeneral DescriptionThis p

 8.3. Size:666K  way-on
wml15n60c4 wmk15n60c4 wmm15n60c4 wmn15n60c4 wmp15n60c4 wmo15n60c4.pdfpdf_icon

WMN15N80M3

WML1 MM15N60C15N60C4, WMK15N60C4, WM C4 WMN15N60C4, WMP15N60C4, WM C4 MO15N60C 600V n Power MOSFETV 0.26 Super JunctionDescripptionWMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayons n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reD S D G GG S D G and low ga charge performanc WMOSTM C4

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: KX6N70 | CHM1503YJGP

 

 
Back to Top

 


 
.