Справочник MOSFET. WMJ15N80M3

 

WMJ15N80M3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMJ15N80M3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 63 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для WMJ15N80M3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMJ15N80M3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:661K  way-on
 wml15n80m3 wmm15n80m3 wmn15n80m3 wmj15n80m3 wmk15n80m3.pdf pdf_icon

WMJ15N80M3

WML15N8 MM15N80M80M3, WM M3 WMN1 80M3, WM M3 15N80M3, WMJ15N8 MK15N80M 800V 0.3 S TSuper Junction Power MOSFETDescripptionWMOSTM M3 is Wayo neration 800M ons 3rd gen 0V super junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reS D D G GG S D G Tand low ga charge performanc WMOSTM M3

Другие MOSFET... WMK15N70C4 , WMM15N70C4 , WMN15N70C4 , WMP15N70C4 , WMO15N70C4 , WML15N80M3 , WMM15N80M3 , WMN15N80M3 , 2N7000 , WMK15N80M3 , WML16N65SR , WMK16N65SR , WMM16N65SR , WMN16N65SR , WMP16N65SR , WMO16N65SR , WML16N70D1B .

History: IRFS31N20DP | RUH120N90R | FDME430NT

 

 
Back to Top

 


 
.